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DE폴 피스 본체 저항률
모두 500항목의 폴 피스 본체 저항률와 관련된 표준이 있다.
국제 분류에서 폴 피스 본체 저항률와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 저항기, 절연유체, 반도체 소재, 금속 재료 테스트, 단열재, 비철금속 제품, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 무기화학, 도체 재료, 종합 전자 부품, 플라스틱, 비철금속, 반도체 개별 장치, 복합강화재료, 석유 및 가스 산업 장비, 광전자공학, 레이저 장비, 발전소 종합, 전기 및 전자 테스트, 태양광 공학, 금속 부식, 토양질, 토양과학, 유리, 세라믹, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 건축 자재, 화학 제품, 열역학 및 온도 측정, 소방, 판막, 접착제 및 접착제 제품, 고무 및 플라스틱 원료, 잠그는 물건, 토공, 굴착, 기초 공사, 지하 공사, 고무, 콘덴서, 포괄적인 테스트 조건 및 절차, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 인쇄 기술, 전기공학종합, 전선 및 케이블, 전자 디스플레이 장치, 회사(기업)의 조직 및 관리, 전자관, 용접, 브레이징 및 저온 용접, 페인트 및 바니시, 자성 재료, 배터리 및 축전지, 전자기 호환성(EMC).
IPC - Association Connecting Electronics Industries, 폴 피스 본체 저항률
Defense Logistics Agency, 폴 피스 본체 저항률
- DLA A-A-59742-2002 표면 실장 저저항 전력 칩 유도기
- DLA A-A-59742 VALID NOTICE 1-2011 인덕터, 칩, 전력, 저저항, 표면 실장
- DLA QPL-49465-16-2006 초저저항 금속소자(전력형) 고정저항기의 일반사양
- DLA DSCC-DWG-04032 REV A-2006 유형 2512 1.5W, 고전력 저값, 비디오 고정 칩 저항기
- DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 저전력 Shawkent 트랜지스터, 포지티브 NAND 게이트 및 단일 실리콘 다이를 갖춘 고급 바이폴라 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 양극 저전력 트랜지스터 육각형 슈미트 트리거 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA DESC-DWG-88020 REV C-2011 저항기 네트워크, 6핀, 무연 칩 캐리어
- DLA DSCC-DWG-88036 REV B-2011 저항기 네트워크, 10핀, 무연 칩 캐리어
- DLA DSCC-DWG-87018 REV H-2012 저항기 네트워크, 16핀, 무연 칩 캐리어
- DLA DSCC-DWG-88034 REV J-2006 고정 박막 칩 저전압 고전력 유형 2512 저항기
- DLA MIL-M-38510/25 E VALID NOTICE 1-2010 미세 회로, 디지털, 양극, TTL, 저전력, 카운터, 모놀리식 실리콘
- DLA MIL-M-38510/21 F VALID NOTICE 1-2010 마이크로회로, 디지털, 양극, TTL, 저전력, 플립플롭, 모놀리식 실리콘
- DLA MIL-M-38510/327 B VALID NOTICE 1-2008 모놀리식 실리콘 카운터형 저전력 쇼트키 트랜지스터 로직 바이폴라 디지털 마이크로회로
- DLA DSCC-DWG-04032 REV B-2011 저항기, 칩, 고정, 박막, 낮은 값, 고전력, 1.5W, 유형 2512
- DLA SMD-5962-95527-1994 7채널 공통 소스 전력 어레이 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-96751 REV A-2003 바이폴라 저전력 트랜지스터, 듀얼 JK 쌍안정 멀티바이브레이터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA DSCC-DWG-87075 REV E-2005 저항기, 고정 장치, 필름, 칩, 플랜지 프레임, 더블 탭, 고출력 10와트
- DLA DSCC-DWG-01032 REV C-2013 고정 칩 저항기, 박막, 산화 베릴륨 기판, 고전력, 유형 1206
- DLA SMD-5962-87778 REV A-2001 실리콘 모놀리식 전력 트랜지스터 선형 마이크로회로
- DLA SMD-5962-87778 REV B-2011 미세회로, 선형, 전력 트랜지스터, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-97547 REV A-2006 저전력 4비트 수량 비교기 실리콘 모놀리식 회로 디지털 양극 마이크로회로
- DLA DESC-DWG-88016 REV C-2011 저항기 네트워크, 고정형, 박막, 20핀, 무연 칩 캐리어
- DLA SMD-5962-76018 REV H-2005 실리콘 모놀리식 래치 쇼트키 저전력 TTL 양극 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-76032 REV E-2005 실리콘 모놀리식 계산기 쇼트키 저전력 TTL 바이폴라 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-76036 REV E-2006 실리콘 모놀리식 계산기 쇼트키 저전력 TTL 바이폴라 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-77001 REV G-2005 실리콘 모놀리식 계산기 쇼트키 저전력 TTL 바이폴라 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-77010 REV G-2005 실리콘 모놀리식 카운터 쇼트키 저전력 TTL 바이폴라 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-92319 REV A-2004 실리콘 모놀리식, XOR 게이트, 저전력 쇼트키 TTL, 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-95671 REV B-2006 내방사성 다중 주파수 고저항 연산 증폭기 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA DSCC-DWG-01032 REV A-2004 유형 1206, 고전력, 산화 베릴륨 기판으로 코팅된 고정 칩 저항기
- DLA DSCC-DWG-89099 REV G-2005 고정 필름 시트 플랜지 마운트 단방향 TAB 고성능 10와트 저항기
- DLA DSCC-DWG-06011 REV B-2009 저항기, 칩, 고정, 전원 스트립, 표면 실장, 낮은 값(1.0와트), 유형 2512
- DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 1-2008 모놀리식 실리콘 고전압 개방형 컬렉터 출력 저전력 트랜지스터 트랜지스터 논리 디지털 마이크로회로(버퍼/드라이버 포함)
- DLA SMD-5962-01507-2001 모놀리식 실리콘 양극화 디지털 초소형 회로 고속 예측 캐리 생성기
- DLA MIL-M-38510/316 E VALID NOTICE 1-2008 모놀리식 실리콘 캐스케이드 래치, 저전력 쇼트키 TTL, 양극 디지털 마이크로 전자 회로
- DLA DSCC-DWG-06003 REV B-2013 저항기, 칩, 고정, 전원 스트립, 표면 실장, 낮은 값(2와트), 모델 4527
- DLA DSCC-DWG-06006 REV A-2013 저항기, 칩, 고정, 전원 스트립, 표면 실장, 낮은 값(3와트), 모델 4527
- DLA SMD-5962-88596 REV D-2008 버퍼/라인 드라이버가 포함된 저전력 쇼트키 트랜지스터-트랜지스터 로직을 사용하는 고급 양극 디지털 단일 실리콘 마이크로회로
- DLA DSCC-DWG-06003 REV A-2006 유형 4527 저전력(2W) 외부 장착 금속 전력판 장착 칩 저항기
- DLA DSCC-DWG-06006-2006 유형 4527 저전력(3W) 외부 장착 금속 전력판 장착 칩 저항기
- DLA DSCC-DWG-06007-2006 유형 0603 저전력(0.1W) 외부 장착 금속 전력판 장착 칩 저항기
- DLA DSCC-DWG-06009-2006 스타일 1206 저전력(0.25W) 외부 장착 금속 전력판 장착 칩 저항기
- DLA DSCC-DWG-06010 REV A-2007 모델 2010 저전력(0.5W) 외부 장착 금속 전력판 장착 칩 저항기
- DLA DSCC-DWG-06011-2006 유형 2512 저전력(1.0W) 외부 장착 금속 전력판 장착 칩 저항기
- DLA DSCC-DWG-06012-2006 유형 2816 저전력(2.0W) 외부 장착 금속 전력판 장착 칩 저항기
- DLA SMD-5962-76014 REV G-2005 실리콘 모놀리식 예측 가산기 쇼트키 저전력 TTL 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-76016 REV J-2005 실리콘 모놀리식 멀티플렉서 쇼트키 저전력 TTL 바이폴라 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-76019 REV H-2005 실리콘 모놀리식 멀티플렉서 쇼트키 저전력 TTL 바이폴라 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-76037 REV F-2003 실리콘 모놀리식 멀티플렉서 쇼트키 저전력 TTL 바이폴라 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-83022 REV J-2005 실리콘 모놀리식 카운터, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-84013 REV F-2005 실리콘 모놀리식 트랜시버, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-84154 REV D-2005 실리콘 모놀리식 자체 기록 장치, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 실리콘 모놀리식 동적 메모리 컨트롤러 이중 편파 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 양극성 트랜지스터 4배 2 입력 포지티브 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
- DLA SMD-5962-97553 REV A-2006 단안정 멀티바이브레이터 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 바이폴라 마이크로회로
- DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 8 입력 포지티브 AND 게이트 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 바이폴라 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-89748 REV A-2005 실리콘 모놀리식, 오픈 콜렉터 출력, 8비트 버스 트랜시버, 저전력 수정 쇼트키 TTL 양극 디지털 마이크로 회로
- DLA DESC-DWG-87016 REV N-2012 저항기 네트워크, 고정형, 박막, 표면 실장, 20핀, 무연 칩 캐리어
- DLA DSCC-DWG-87015 REV F-2012 저항기 네트워크, 고정형, 박막, 표면 실장, 28핀, 무연 칩 캐리어
- DLA DESC-DWG-87014 REV K-2013 저항기 네트워크, 고정형, 박막, 표면 실장, 16핀, 무연 칩 캐리어
- DLA SMD-5962-77009 REV E-2005 실리콘 모놀리식 10진 카운터 쇼트키 저전력 TTL 양극 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-78026 REV D-2004 실리콘 모놀리식 십진 카운터, 쇼트키 저전력 TTL 양극 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-84145 REV D-2005 실리콘 모놀리스 또는 드라이버, TTL 쇼트키 고급 저전력 양극 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-89687 REV C-2004 실리콘 모놀리식, 오픈 콜렉터 출력 및 8비트 버스 트랜시버, 저전력 수정 쇼트키 TTL 양극 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-95688 REV D-2007 방사선 방지 다중 주파수 고입력 임피던스 연산 증폭기 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-95584 REV C-2008 마이크로회로 전자 실리콘 디지털 바이폴라 트랜지스터-트랜지스터 로직(TTL) 동기식 4비트 업/다운 카운터
- DLA SMD-5962-84000 REV D-2005 실리콘 모놀리식 JK 플립플롭, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-84012 REV G-2005 실리콘 모놀리식 투명 래치, TTL Schottky 고급 저전력 양극 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-84030 REV E-2005 실리콘 모놀리식 버스 수신기, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-84135 REV E-2005 실리콘 모놀리식 멀티플렉서, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-84143 REV F-2005 실리콘 모놀리식 멀티플렉서, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-90503 REV C-2004 실리콘 모놀리식, 8비트 메모리 레지스터, 저전력 쇼트키 TTL, 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-88589 REV C-2001 실리콘 모놀리식 포지티브 NAND 채널 저전력 쇼트키 TTL로 이중 편파 디지털 마이크로 회로 구현
- DLA SMD-5962-88590 REV B-2001 실리콘 모놀리식 포지티브 NAND 채널 저전력 쇼트키 TTL로 이중 편파 디지털 마이크로 회로 구현
- DLA SMD-5962-88596 REV C-2001 실리콘 모놀리식 버퍼/드라이버 저전력 쇼트키 TTL로 이중 편파 디지털 마이크로회로 구현
- DLA MIL-M-38510/325 D VALID NOTICE 1-2008 모놀리식 실리콘 직렬 연결 가능 쌍안정 멀티바이브레이터 유형 저전력 쇼트키 트랜지스터 로직 바이폴라 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 4배 2 입력 포지티브 AND 게이트 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 양극 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 3중 3 입력 포지티브 AND 게이트 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 양극 마이크로 회로
- DLA MIL-M-38510/322 C VALID NOTICE 1-2008 3상태 출력을 갖춘 6개의 버스 드라이버를 갖춘 모놀리식 실리콘 저전력 쇼트키 트랜지스터 논리 양극 디지털 마이크로회로
- DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 1-2008 모놀리식 실리콘 저전력 쇼트키 트랜지스터 논리 바이폴라 디지털 마이크로회로(3상태 출력 포함 쿼드 버스 버퍼 게이트 포함)
- DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 1-2008 3상태 출력 8버스 버퍼 게이트를 갖춘 모놀리식 실리콘 저전력 쇼트키 트랜지스터 논리 양극 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-90541 REV A-2004 실리콘 모놀리식, 캐리 보존 전가산기, 저전력 쇼트키 TTL, 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-96809 REV B-2003 양극성 상보성 금속 산화물 반도체, 3.3V 16비트 버퍼 또는 드라이버 및 22Ω 시리즈 저항기 3상태 출력, 트랜지스터 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 실리콘 모놀리식 바이폴라 전계 효과 트랜지스터 전산 스피커, 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-97508 REV A-2006 바이폴라 저전력 듀얼 2행 ~ 4행 디코더 또는 신호 분배기 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-85126 REV C-2005 실리콘 모놀리식 버퍼 저주파 쇼트키 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로, 양극 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-83019 REV G-2005 실리콘 모놀리식 쌍안정 멀티바이브레이터, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-84001 REV K-2005 실리콘 모놀리식 쌍안정 멀티바이브레이터, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-84010 REV D-2005 실리콘 모놀리식 쌍안정 멀티바이브레이터, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-84136 REV E-2005 실리콘 모놀리식 쌍안정 멀티바이브레이터, TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-88727 REV C-2008 모놀리식 실리콘 8방향 버스 트랜시버로 개선된 저전력 쇼트키 TTL 바이폴라 디지털 마이크로회로
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 폴 피스 본체 저항률
Group Standards of the People's Republic of China, 폴 피스 본체 저항률
PL-PKN, 폴 피스 본체 저항률
National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 폴 피스 본체 저항률
SE-SIS, 폴 피스 본체 저항률
International Electrotechnical Commission (IEC), 폴 피스 본체 저항률
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 폴 피스 본체 저항률
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 폴 피스 본체 저항률
KR-KS, 폴 피스 본체 저항률
Association Francaise de Normalisation, 폴 피스 본체 저항률
- NF C26-915:1967 절연 바니시 테스트 방법 부피 및 표면 저항
- NF EN ISO 20168:2021 저항 용접 - 전극 홀더 및 전극 팁용 클램핑 콘
- NF C26-215:1982 절연 재료의 시험 방법 고체 전기 절연 재료의 체적 저항률 및 표면 저항률 시험 방법
- NF C26-631-3-4*NF EN IEC 62631-3-4:2019 고체 절연 재료의 유전 및 저항 특성 3-4부: 저항 특성 결정(DC 방법) 고온에서의 체적 저항 및 체적 저항
- NF EN IEC 62631-3-1:2023 고체 절연 재료의 유전 및 저항 특성 3-1부: 저항 특성 결정(DC 방법) 체적 저항 및 체적 저항률에 대한 일반적인 방법
- NF C31-888-4:2012 초전도성 4부: 잔류 저항 측정 니오븀-티타늄 복합 초전도체의 잔류 저항
- NF C26-631-3-1*NF EN 62631-3-1:2016 고체 절연 재료의 유전 및 저항 특성 3-1부: 저항 특성 결정(DC 방법) 체적 저항 및 체적 저항률에 대한 일반적인 방법
- NF EN ISO 8430-2:2016 저항 점용접 - 전극 홀더 - 2부: 모스 콘 고정
- NF EN ISO 8430-1:2016 저항 점용접 - 전극 홀더 - 부품 1: 연결 콘 1:10
- NF C27-210:1979 절연유체의 비유전율, 유전손실, DC 저항률 측정
- NF C26-631-3-11*NF EN IEC 62631-3-11:2018 고체 절연 재료의 유전 및 저항 특성 파트 3-11: 저항 특성 결정(DC 방법) 체적 저항 및 체적 저항 재료 함침 및 코팅 방법
- NF EN ISO 5829:2021 저항 점용접 - 탈착식 팁 전극 연장(1/10 내부 원뿔)
- NF C31-888-11:2003 초전도성 11부: 잔류 저항 측정 니오븀-주석 복합 초전도체의 잔류 저항
- NF C31-888-11:2011 초전도성 11부: 잔류 저항 측정 니오븀-주석 복합 초전도체의 잔류 저항
- NF C26-631-3-2*NF EN 62631-3-2:2016 고체 절연 재료의 유전 및 저항 특성 3-2부: 저항 특성 결정(DC 방법) 표면 저항 및 표면 저항
- NF EN IEC 62631-3-2:2023 고체 절연 재료의 유전 및 저항 특성 3-2부: 저항 특성 결정(DC 방법) 표면 저항 및 표면 저항
- NF EN 62631-3-2:2016 고체 절연 재료의 유전 및 저항 특성 3-2부: 저항 특성 결정(DC 방법) 표면 저항 및 표면 저항
- NF C27-210*NF EN 60247:2004 절연액의 비유전율, 유전손실계수(tanδ), DC 저항률 측정
- NF C83-241-801/A1*NF EN 140401-801/A1:2014 상세 사양: 고정 저전력 박막 칩 저항기 직사각형 안정 클래스 0.1;0.25;0.5;1
- NF C83-241-802/A2*NF EN 140401-802/A2:2014 상세 사양: 고정 저전력 박막 칩 저항기 직사각형 안정 클래스 1;2
- NF EN 61340-2-3:2017 정전기 - 2-3부: 정전기 전하를 방지하도록 설계된 고체 재료의 저항 및 저항성을 결정하기 위한 테스트 방법
- NF C20-790-2-3:2001 정전기 2-3부: 정전기 축적을 방지하기 위해 사용되는 고체 평면 재료의 전기 저항 및 저항률 측정을 위한 테스트 방법
- NF C31-888-16*NF EN 61788-16:2013 초전도성 16부: 마이크로파 주파수에서 초전도체의 전력 의존 표면 저항의 전기적 특성 측정
- NF C20-790-2-3*NF EN 61340-2-3:2017 정전기학 2-3부: 정전기 전하 축적을 방지하기 위해 사용되는 고체 물질의 저항 및 저항성을 결정하기 위한 테스트 방법
- NF T51-731:1980 플라스틱 제품 비닐 가소화 화합물 저전압에서의 체적 저항 측정
- NF C83-210:1981 전자 부품 품질 평가 및 조정 시스템 하위 표준 고전력 고정 저항기
- NF EN IEC 60404-13:2018 자성재료 제13부: 전기강판의 저항률, 밀도, 팽창계수의 측정방법
- NF EN 60247:2004 절연액 - 비유전율, 유전손실계수(tan δ), DC 저항률 측정
- NF C28-901-13:2008 자성재료 제13부: 전기강판 및 스트립의 밀도, 비저항, 적층계수 측정방법
- NF C28-901-13*NF EN IEC 60404-13:2018 자성재료 제13부: 전기강판의 저항률, 밀도, 충전계수의 측정방법
German Institute for Standardization, 폴 피스 본체 저항률
CZ-CSN, 폴 피스 본체 저항률
AENOR, 폴 피스 본체 저항률
Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 폴 피스 본체 저항률
Professional Standard - Electron, 폴 피스 본체 저항률
UY-UNIT, 폴 피스 본체 저항률
IN-BIS, 폴 피스 본체 저항률
IT-UNI, 폴 피스 본체 저항률
Institute of Interconnecting and Packaging Electronic Circuits (IPC), 폴 피스 본체 저항률
Lithuanian Standards Office , 폴 피스 본체 저항률
European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 폴 피스 본체 저항률
Malaysia Standards, 폴 피스 본체 저항률
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 폴 피스 본체 저항률
RU-GOST R, 폴 피스 본체 저항률
International Organization for Standardization (ISO), 폴 피스 본체 저항률
Professional Standard - Petroleum, 폴 피스 본체 저항률
British Standards Institution (BSI), 폴 피스 본체 저항률
- BS ISO 13931:2013 탄소섬유 체적 저항 측정
- BS EN 61788-11:2003 초전도성 잔류 저항 측정 Nb3Sn 복합 초전도체의 잔류 저항
- BS EN 61788-4:2007 초전도성, 잔류 저항률 측정, Nb-Ti 복합 초전도체의 잔류 저항률
- BS EN IEC 61788-23:2021 초전도 잔류 저항 비율 공동 등급 니오븀 초전도체의 잔류 저항 측정
- BS EN 62631-3-1:2016 고체 절연 재료의 유전 및 저항 특성 저항 특성 결정(DC 방법) 체적 저항 및 체적 저항 일반 방법
- BS EN IEC 62631-3-4:2019 고체 절연 재료의 유전 및 저항 특성 저항 특성 결정(DC 방법) 고온에서의 체적 저항 및 체적 저항
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Professional Standard - Earthquake, 폴 피스 본체 저항률
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