ZH

EN

JP

ES

RU

DE

무중력 극편

모두 38항목의 무중력 극편와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 무중력 극편와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 씰, 씰링 장치, 반도체 개별 장치, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 비철금속, 화학 제품, 표면 처리 및 도금, 무선 통신, 도체 재료, 항공우주 제조용 재료.


American Society for Testing and Materials (ASTM), 무중력 극편

  • ASTM F495-99a 고온에 노출된 개스킷 재료의 중량 손실에 대한 표준 테스트 방법
  • ASTM F495-99a(2019) 고온에 노출된 개스킷 재료의 중량 손실에 대한 표준 테스트 방법

Defense Logistics Agency, 무중력 극편

  • DLA SMD-5962-90538 REV D-2003 실리콘 모놀리식, 쿼드 쇼트키 다이오드 어레이, 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-97572 REV A-2006 4중 2입력 전용 실리콘 모놀리식 디지털 바이폴라 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-97577 REV A-2006 4중 2입력 포지티브 AND 게이트 실리콘 모놀리식 디지털 바이폴라 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-97578 REV A-2006 4중 2입력 포지티브 AND 게이트 실리콘 모놀리식 디지털 바이폴라 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 삼중 3 입력 포지티브 AND 게이트 실리콘 모놀리식 디지털 바이폴라 마이크로회로
  • DLA DSCC-VID-V62/09610-2008 마이크로 회로, 디지털, 삼중 버퍼/드라이버, 오픈 드레인 출력 포함, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-88584 REV B-2002 실리콘 모놀리식 바이폴라 쿼드 16진수 NTDS 고속/재수신기 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 4배 2 입력 포지티브 AND 게이트 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 양극 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 3중 3 입력 포지티브 AND 게이트 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 양극 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 실리콘 모놀리식, 4중 양극 접합 전계 효과 트랜지스터, 연산 증폭기, 선형 미세 회로
  • DLA SMD-5962-87754 REV B-2011 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 아날로그 Mux/Demux, 삼중 단극, 이중 비트, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-97541 REV A-2006 양극 저전압 4중 2 입력 포지티브 AND 게이트 버퍼 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94522 REV A-2001 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력 및 출력, 프로그래밍 가능 저왜곡 클록 드라이버, 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96815 REV A-2000 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 전용 AND 게이트 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94559 REV A-1994 실리콘 모놀리식, 듀얼 4입력 NAND 슈미트 트리거, 향상된 쇼트키 TTL, 양극 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 방사선 경질 보완 금속 산화물 반도체 이중 보완 추가 인버터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-97580 REV A-2006 조정 가능한 듀얼 JK 포지티브 트리거 3상태 출력 쌍안정 멀티바이브레이터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 바이폴라 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84011 REV G-2005 실리콘 모놀리식, D형 이중 포지티브 에지 트리거 플립플롭(리셋 클리어 키 포함), TTL 쇼트키 고급 저전력 바이폴라 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 쿼드 버스 3상태 출력 버퍼, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 이중 활성화 및 3상태 출력을 갖춘 8비트 래치형 트랜시버, 향상된 양극 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89950 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 동기식 리셋 클리어 키가 있는 듀얼 네거티브 에지 트리거 JK 플립플롭, 수정된 쇼트키 TTL, 양극 디지털 마이크로회로

Association Francaise de Normalisation, 무중력 극편

  • NF A91-407:1981 알루미늄 및 알루미늄 합금의 아노다이징 처리(양극 산화) 산성 용액에 담근 후 중량 손실을 측정하여 씰 품질 평가

International Organization for Standardization (ISO), 무중력 극편

  • ISO 12988-1:2000 알루미늄 생산에 사용되는 탄소 재료의 소성 양극의 이산화탄소 반응성 측정 1부: 중량 감량 방법
  • ISO 12989-1:2000 알루미늄 생산에 사용되는 탄소 재료의 소성 양극 및 탄소 블록의 공기 반응성 측정 - 1부: 중량 감량 방법

PT-IPQ, 무중력 극편

  • NP 2907-1987 양극산화 알루미늄. 코팅 검사. 인 함유 용액에 담근 후. 체중 감량 측정
  • NP EN 12373-6-2001 알루미늄 및 알루미늄 합금. 아노다이징 처리. 파트 6: 인산(또는 크롬산)을 함유한 침지 처리 후. 양극 산화 표면 코팅의 중량 손실 계산
  • NP EN 12373-7-2001 알루미늄 및 알루미늄 합금. 아노다이징 처리. 파트 7: 인산(또는 크롬산)을 함유한 침지 처리 후. 양극 산화 표면 코팅의 중량 손실 계산

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 무중력 극편

  • GB/T 8753.1-2017 알루미늄 및 알루미늄 합금의 양극 산화막 밀봉 품질 평가 방법 1부: 산 에칭 중량 감소 방법

TR-TSE, 무중력 극편

  • TS 2675-1977 알루미늄 및 알루미늄 합금의 아노다이징. 산성 용액에 담근 후 중량 손실을 측정하여 씰 품질 평가
  • TS 2676-1977 알루미늄 및 알루미늄 합금의 아노다이징. 인으로 측정합니다. 크롬산 용액으로 에칭한 후의 중량 감소는 밀봉 품질을 평가하는 데 사용됩니다.

British Standards Institution (BSI), 무중력 극편

  • BS EN 12373-7:2002 알루미늄 및 알루미늄 합금 아노다이징 이전에 산 처리된 인/크롬산 용액에 담근 후 중량 손실을 측정하여 밀봉된 아노다이징 코팅의 품질을 평가합니다.

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 무중력 극편

  • YS/T 63.1-2006 알루미늄용 탄소재료의 시험방법 1부 : 음극 페이스트 샘플의 로스팅 방법, 로스팅 중량 감소 결정 및 생지 시편의 겉보기 밀도 결정

工业和信息化部, 무중력 극편

  • YS/T 63.1-2019 알루미늄용 탄소재료의 시험방법 1부 : 음극 페이스트 샘플의 로스팅 방법, 로스팅 중량 감소 결정 및 생지 시편의 겉보기 밀도 결정

未注明发布机构, 무중력 극편

  • BS EN 3638:2007(2009) 항공우주 시리즈 — 내열 합금 FE - PA2601(X6NiCrTiMoV26 - 15) — 소모성 전극 재용해 — 용액 및 석출 처리 — 시트, 스트립 및 플레이트 — 0.5mm  a  10mm

European Association of Aerospace Industries, 무중력 극편

  • AECMA PREN 2773-1999 항공 및 항공우주 시리즈 강철 FE-PM3801(X5CrNiCu17-4) 소모성 전극 재용융 액체 처리 및 침전 처리 정제 및 스트립 6mm 이하, Rm≥1310MPa
  • AECMA PREN 2774-1999 항공 및 항공우주 시리즈 강철 FE-PM3801(X5CrNiCu17-4) 소모성 전극 재용융 액체 처리 및 침전 처리 정제 및 스트립 6mm 이하, Rm≥1310MPa




©2007-2024 저작권 소유