29.045 半导体材料 标准查询与下载

T/ICMTIA CM0038-2024 半导体硅单晶生产用高纯石英坩埚

本文件规定了半导体硅单晶生产用高纯石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存技术内容。 本文件适用于半导体硅单晶生产用高纯石英坩埚。

High purity quartz crucible for semiconductor silicon single crystal production

T/CPIA 0062-2024 质量分级及“领跑者”评价要求 光伏硅棒

本文件规定了光伏硅棒产品质量及企业标准水平评价的基本要求、评价指标及要求、评价方法及等级划分。 本文件适用于直拉掺杂制备的光伏单晶硅棒，用于光伏硅棒产品质量和企业标准水平评价，相关机构开展质量分级和企业标准水平评估、“领跑者”产品评价以及相关认证或评价时可参照使用，相关企业在制定企业标准时也可参照使用。

Quality Grading and “Leader Runner” Evaluation Requirements Photovoltaic Silicon Rods

T/CPIA 0061-2024 质量分级及“领跑者”评价要求 光伏硅片

本文件规定了光伏硅片产品质量及企业标准水平评价的基本要求、评价指标及要求、评价方法及等级划分。 本文件适用于单晶硅光伏硅片，多晶硅光伏硅片可参考使用。本文件用于光伏硅片产品质量和企业标准水平评价，相关机构开展质量分级和企业标准水平评估、“领跑者”产品评价以及相关认证或评价时可参照使用，相关企业在制定企业标准时也可参照使用。

Quality Grading and “Leader Runner” Evaluation Requirements Photovoltaic Silicon Wafers

T/IAWBS 020-2024 碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法

本文件规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱法测量碳化硅（SiC）外延材料中深能级缺陷的方法。 本文件适用于测量碳化硅外延材料层中的杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。此方法可得到深能级的激活能、浓度、俘获截面等参数。

Test method for deep level defects of silicon carbide epitaxial layers-Transient capacitance method

T/NXCL 30-2024 300 mm低氧含量直拉硅单晶

本文件规定了300 mm低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。 本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为300 mm 的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件的衬底。

300 mm low oxygen content single crystaline Czochralski silicon

T/NXCL 29-2024 300 mm低氧含量直拉硅单晶抛光片

本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、订货单（或合同）内容和质量承诺等方面的内容。 本文件适用于直径 300 mm 低氧含量直拉硅单晶磨削片经单面或双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足绝缘栅双极晶体管（IGBT）等功率器件技术需求的衬底片。

300 mm low oxygen content single crystaline Czochralski silicon polished wafers

T/NXCL 28-2024 半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚

本文件规定了半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容。 本文件适用于合成石英砂（成分：二氧化硅）为内层原料，采用电弧熔融法工艺生产，应用于直拉法半导体级单晶硅生长的石英坩埚。

Synthetic quartz crucible for semiconductor grade monocrystalline silicon growth

T/IAWBS 005-2024 6~8英寸碳化硅单晶抛光片

本文件规定了6~8英寸4H碳化硅单晶抛光片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于生产电力电子器件、射频微波器件的外延材料用碳化硅单晶抛光片。

6~8 inch polished monocrystalline silicon carbide wafers

T/CSTM 01199-2024 多层金属薄膜 层结构测量分析方法 X射线光电子能谱

本文件规定了X射线光电子能谱仪（XPS）深度剖析测量多层金属薄膜层结构的分析方法。 本文件适用于70 nm~240 nm深度内纳米尺度多层金属薄膜层成分、化学态、膜厚的表征。

Multilayer metal film-Measurement and analysis method of layer structure-X-ray photoelectron spectroscopy

ASTM F980-16(2024) 硅半导体器件中中子引起的位移损伤的快速退火测量的标准指南

Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices

T/QGCML 2024-2023 掺镓硅片技术生产管理办法

本文件规定了掺镓硅片技术生产管理办法的一般要求、生产要求、人员要求、现场管理。 本文件适用于掺镓硅片技术生产管理。

Gallium-doped silicon wafer technology production management measures

T/QGCML 1928-2023 光纤激光器组件（TOSA）生产工艺规范

本文件规定了光纤激光器组件（TOSA）生产工艺规范的术语及定义、生产要求、测试要求及生产、测试工艺等。 本文件适用于光纤激光器组件（TOSA）生产的主要工艺规范。

Fiber laser assembly (TOSA) production process specifications

T/CZSBDTHYXH 001-2023 半导体晶圆缺陷自动光学检测设备

本标准规定了半导体晶圆缺陷光学检测仪的术语和定义、产品型号、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存要求。

Wafer defects Automatic optical inspection equipment

T/CASME 581-2023 半导体用硅环技术要求

本文件规定了半导体用硅环的术语和定义、生产加工、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、贮存和运输方面的内容。

Technical requirements for silicon rings for semiconductors

T/SZBX 118-2023 太阳能电池用单晶硅片

本文件规定了太阳能电池用单晶硅片的术语和定义、分类与编码(牌号)、要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存等。

Monocrystalline silicon wafers for solar cells

T/SHDSGY 135-2023 新能源半导体硅片材料技术

本文件规定了术语和定义、硅片技术要求、半导体硅片制作流程、试验方法、检验规格标志、包装、运输、贮存和质量证明书。 本文件适用于新能源半导体硅片材料技术。

New Energy Semiconductor Silicon Wafer Material Technology

GSO IEC TR 60146-1-2:2023 半导体转换器 一般要求和线路换向转换器 第1-2部分：应用指南

IEC TR 60146-1-2:2019 is available as IEC TR 60146-1-2:2019 RLV which contains the International Standard and its Redline version, showing all changes of the technical content compared to the previous edition.IEC TR 60146-1-2:2019 gives guidance on variations to the specifications given in IEC 60146-1-1:2009 to enable the specification to be extended in a controlled form for special cases. Background information is also given on technical points, which facilitates the use of IEC 60146-1-1:2009. This technical report primarily covers line commutated converters and is not in itself a specification, except as regards certain auxiliary components, in so far as existing standards may not provide the necessary data. This fifth edition includes the following significant technical changes with respect to the previous edition: a) addition of annexes concerning the applications of converter transformers and of fuses for overcurrent protection; b) changes of calculation methods related the inductive voltage regulation and changes of description on transformer losses to be consistent with the latest transformer standards; c) addition and updates of references based on the latest information.

Semiconductor converters - General requirements and line commutated converters - Part 1-2: Application guidelines

ASTM D6095-12(2023) 挤压交联和热塑性半导体导体和绝缘屏蔽材料的体积电阻率纵向测量的标准试验方法

1.1 This test method covers the procedure for determining the volume resistivity, measured longitudinally, of extruded crosslinked and thermoplastic semiconducting, conductor and insulation shields for wire and cable. 1.2 In common practice the conductor shield is often referred to as the strand shield. 1.3 Technically, this test method is the measurement of a resistance between two electrodes on a single surface and modifying that value using dimensions of the specimen geometry to calculate a resistivity. However, the geometry of the specimen is such as to support the assumption of a current path primarily throughout the volume of the material between the electrodes, thus justifying the use of the term “longitudinal volume resistivity.” (See 3.1.2.1.) 1.4 Whenever two sets of values are presented, in different units, the values in the first set are the standard, while those in parentheses are for information only. 1.5 This standard does not purport to address all of the safety concerns, if any, associated with its use. It is the responsibility of the user of this standard to establish appropriate safety, health, and environmental practices and determine the applicability of regulatory limitations prior to use. For a specific hazard statement, see 7.1. 1.6 This international standard was developed in accordance with internationally recognized principles on standardization established in the Decision on Principles for the Development of International Standards, Guides and Recommendations issued by the World Trade Organization Technical Barriers to Trade (TBT) Committee.

Standard Test Method for Longitudinal Measurement of Volume Resistivity for Extruded Crosslinked and Thermoplastic Semiconducting Conductor and Insulation Shielding Materials

T/CNIA 0174-2022 硅片切割废料回收硅

本文件规定了硅片切割废料回收硅的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。 本文件适用于以硅多晶锭和硅单晶锭切片过程产生的硅片切割废料为原料所生产的回收硅产品，主要用于配置合金、生产有机硅和制备碳化硅陶瓷等。

Silicon wafer cutting waste recycling silicon

T/IAWBS 017-2022 金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法

本标准根据金刚石单晶片的材料性能特点，并结合目前国内金刚石晶体质量检测技术的研究水平，对金刚石单晶片X射线双晶摇摆曲线的测试原理、测量精度保障、测量步骤等内容做出了规定。 本标准主题章共分为11章，主要内容包括：范围、规范性引用文件、术语和定义、测试原理、测试仪器与校准、测试样品、干扰因素、测试环境、测试程序、精密度、测试报告和附录。

Test method for full width at half maximum of double crystal X-rayrocking curve of diamond single crystal substrate