利用导电探针原子力显微镜（C-AFM）测量碳纳米管薄膜导电性

导电性测量是一种有效的方法, 可用来描述某些特殊应用中材料的特性与行为，从能量存储和能量转换元件，到分子元件电路以及纳米级半导体元件。导电探针原子力显微镜（CP-AFM）是其中一种相当有用的技术，它可以提供精确的纳米级测量和先进材料如CNTs膜的导电性的相对分布图。在过去的十年中，几种检测被引入来研究这些材料，然而，绝大多数只能测量有限的电性范围。在这项研究中，配备CP-AFM的Park NX20被用来研究具有广泛导电性的3种不同的材料。实验所得数据清晰地证明了，这项技术借由整合对数型电流放大器于系统中，可利用来测量不同导电材料的典型表征，以及提供薄膜材料的导电率空间解析图。