PICOSUN原子层沉积设备ALD可用于在集成电路上的应用

Picosun适应性强其客户包括最大的电子制造商，小型的创新型挑战者以及全球领先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN®研发工具具有独特的内置可扩展性，可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中，而不会出现技术差距。

ALD主要应用：

1.在集成电路上的应用：Fin-FET和HKMG工艺在Si衬底上长高K绝缘层HfO2，La2O3，Ta2O5，Al2O3等；电容器金属电极；晶体管栅电极；TSV电镀铜前长阻挡层和种子层；

2.在显示中的应用：在Micro-LED中通过在沟槽中长钝化层来改善光散射性能；在OLED中低温长防水层。

3.在激光器和功率器件的应用：VCSEL侧面长AlN、Al2O3保护层；GaN高频器件T Gate刻蚀后去氧化层并镀上保护层。

4.验证光刻胶性能：第三方实验室或者工厂FA部门，涂胶后通过低温ALD镀一层很薄的膜来保持住光刻胶的整体形貌，然后通过FIB+TEM等方法来验证光刻胶性能，如果不镀膜直接上FIB或TEM会破坏光刻胶原有的形貌，无法获得准确的结果。

5.其他应用：MEMS/SAW等做高均匀性镀膜，锂电池、医疗等行业等粉末镀膜。

PICOSUN®R-200标准

PICOSUN®R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场领导者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的首选工具。

敏捷的设计实现了最高质量的ALD薄膜沉积以及系统的最终灵活性，可以满足未来的需求和应用。专利的热壁设计具有完全独立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow™技术，即使在最具挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 PICOSUN®R-200 Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学物质前体源。与手套箱，粉末室和各种原位分析系统集成，无论您现在的研究领域是什么，或以后可能成为什么样的研究领域，都可以进行高效，灵活的研究，并获得良好的结果。

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途