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NRE-4000 (M) 反应离子刻蚀

参考报价: 面议 型号: NRE-4000 (M)
品牌: 那诺-马斯特 产地: 美国
关注度: 93 信息完整度:
样本: 典型用户: 暂无
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AI问答
可以做哪些实验,检测什么? 可以用哪些耗材和试剂?

NRE-4000(M)反应离子刻蚀概述

NRE-4000是一款独立式RIE系统,配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持大到12”的晶圆片。腔体为超净设计,并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l/s的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。

该系统是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制,该系统具有高度的可重复性。


NRE-4000(M)反应离子刻蚀产品特点

·         铝质腔体或不锈钢腔体

·         不锈钢立柜

·         能够刻蚀硅的化合物(~400Å /min)以及金属

·         典型的硅刻蚀速率,400 Å/min

·         高达12”的阳极氧化铝RF样品台

·         水冷及加热的RF样品台

·         大自偏压

·         淋浴头气流分布

·         极限真空5x10-7Torr,20分钟内可以达到10-6Torr级别

·         涡轮分子泵

·         至多支持8个MFC

·         无绕曲气体管路

·         自动下游压力控制

·         双刻蚀能力支持:RIE以及PE刻蚀(可选)

·         终点监测

·         气动升降顶盖

·         手动上下载片

·         基于LabView软件的PC计算机全自动控制

·         菜单驱动,4级密码访问保护

·         完全的安全联锁

·         可选ICP离子源以及低温冷却样品台,用于深硅刻蚀


NRE-4000(M) Features

·         Aluminum or Stainless Steel Chamber

·         Stainless Steel Cabinet

·         Capable of etching Si compounds (~400 Å /min)and metals

·         Typical Si etch rate, 400 Å/min

·         Up to 12“ Anodized RF Platen

·         Water Cooled and Heated RF Platen

·         Large Self Bias

·         Shower Head gas distribution

·         Approximay 10-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressure

·         Turbomolecular Pump

·         Up to eight MFCs

·         No flexing of gas lines

·         Down Stream Pressure Control

·         Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch(Option)

·         End Point Detection

·         Pneumatically Lifted Top

·         Manual loading/unloading

·         PC Controlled with LabVIEW

·         Recipe Driven, Password Protected

·         Fully Safety Interlocked 

·         Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch

 


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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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