SUPERALD Exploiter原子层沉积超高真空系列 UHV ALD
tel: 400-6699-117 转 1000原速科技原子层沉积(ALD), 工艺温度:温度范围:RT~400°C 精度:土1°C(可定制);前驱体路数:支持6路前驱体气路(可定制),包含固、液态前......
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产品型号: UHV ALD
品牌:原速科技
产品产地:深圳
产品类型:国产
原制造商:原速科技
状态:在售
厂商指导价格: 50~100万元[人民币]
上市时间: 2020-05-16
英文名称: UHV ALD
优点:工艺温度:温度范围:RT~400°C 精度:土1°C(可定制);前驱体路数:支持6路前驱体气路(可定制),包含固、液态前驱体源瓶
参考成交价格: 50~100万元[人民币]
原子层沉积(ALD)
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- ISO/DIS 8181 原子层沉积的术语
- GB/T 2900.104-2021 电工术语 微机电装置
- T/CASME 134-2022 原子层沉积粉体包覆设备
- SAE AMS-C-8837-2008 涂层,镉(真空沉积)
- SAE AMS-C-8837A-2015 涂层,镉(真空沉积)
- SAE AMS2426D-2007 涂层,镉真空沉积
- SAE AMS2426E-2019 涂层,镉真空沉积
- SAE AMS2426E-2013 真空沉积镉镀层
- GB/T 22124.1-2008 面向装备制造业.产品全生命周期工艺知识.第1部分:通用制造工艺分类
- NF L10-303*NF EN 2535:2022 航天系列-镉的真空沉积