ALD当今最复杂的薄膜镀膜技术。

原子层沉积（ALD）是一种先进的薄膜涂覆方法，可用于制造超薄，高度均匀和共形的材料层，以用于多种应用。 ALD使用顺序，自限和表面受控的气相化学反应来控制纳米/亚纳米厚度范围内的薄膜生长。由于成膜机理–气体直到与表面接触才发生反应，这意味着膜的生长是通过连续的原子层从表面“向上”进行的– ALD膜致密，裂纹，缺陷和针孔。原子的自由度及其厚度，结构和化学特性可以精确控制。 ALD过程是数字可重复的，并且可以在相对较低的温度下执行。这不仅可以构造单一材料层，还可以构造掺杂，混合或渐变的层和纳米层压板，而较低的工艺温度还可以涂覆敏感的材料，例如塑料和聚合物。 ALD材料的范围很广，例如从氧化物，氮化物，氟化物，碳化物和硫化物，形成三元化合物，金属（包括贵金属），杂化材料和聚合物。

ALD使我们的现代，移动和互联生活成为可能。

在过去的几年中，ALD的应用数量呈指数增长。如今，结合摩尔定律和不断减小的IC（集成电路）器件尺寸，ALD是唯一一种可以制造功能材料层足够薄但仍具有最高质量，均匀性，一致性和结构完整性的方法。在当今的存储器，逻辑和硬盘组件中常见的纳米级特征和高长宽比结构。简而言之，ALD使我们的现代移动通信设备以及越来越紧凑和高效的计算机成为可能。

ALD正在遍及全球工业领域。

除了IC组件制造之外，ALD的其他大规模工业应用还可以在传感器，LED和其他III-V器件以及MEMS（微机电系统）制造中找到。 ALD膜还用于光学和光电，防锈蚀和腐蚀保护以及可再生能源应用，例如太阳能，该方法为能量存储和生产（例如高级薄膜电池和燃料电池），生物相容性和医疗设备和植入物，生态包装材料，防潮和气密密封剂层，装饰性涂层以及疏水/亲水性涂层的生物活性表面功能化。