影响分子束外延（MBE）的因素
1、外延温度
为了引起外延，基片的温度应达到某一温度值，即有必要加热到外延温度以上，当温度低于外延温度时则不能引起外延。而且外延温度还与其他条件有关，不同条件下的外延温度是不同的。
2、基片结晶的臂开
在过去的常规研究方面，基片结晶是在大气下臂开(机械折断产生结晶面)而后放入真空装置中来制取外延单晶膜。已经研究了晶面一旦臂开就立刻进行制膜的方法。由于这两种方法不同，其外延温度也有所不同。基片结晶在真空下臂开而引起的处延临界温度的不同值
3、压力的影响
在10-3Pa真空度下，臂开的表面，在1秒钟时间内即可被残余气体的单原于层所覆盖，若在10-5~10-7Pa真空条件下臂开而立即进行蒸镀，则外延温度应当更进一步地降低，但实险表明，并非如此。如M和A，在高真空下进行外延蒸镀与在超高真空下进行外延蒸镀，其结果并没有多少差别。然而，cu、Ag、Au在超高真空下，使(001)面同基片相平行，则很难生成单晶膜，这说明对Cu、Ag、Au进行外延蒸镀时，基片表面还需要进行适当的污染。 [1]
4、蒸发速度影响
如果降低蒸发速度，外廷温度Te也降低。
推荐
