氧化镓和碳化硅功率芯片的技术差异
SiC（碳化硅）商业化已经20 多年了，GaN 商业化还不到5 年时间。因此人们对GaN 未来完整的市场布局并不是很清楚。
SiC 的材料特性是能够耐高压、耐热，但是缺点是频率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。现在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅长高频，效率可以做得非常好。
例如，特斯拉等车厂使用SiC 做主驱等，因为SiC更适合做大功率、更高端的应用。
目前GaN 在消费领域做得非常好，可以完全替代Si 器件；而SiC 下探到消费领域非常难。现在是GaN 不断往上走，电压、电流、功率等级不断往上探，以纳微为例，未来的布局有服务器、数据中心、电动汽车等。而且GaN 往上探没有限制，例如纳微在2021 年底或2022 年就会推出小于20 mΩ 的器件，意味着可以做到单体3.3 ～ 5 kW 的功率，未来做模块，例如3 个die（晶片）或者更多die 做桥壁、并联等，很快功率等级会从10 kW 到20 kW、30 kW……据《电子产品世界》所知，已有GaN 模块供应商推出了电动汽车的充电桩方案、主驱等；纳微也有此方面的规划。从器件本身特征看，与Si 和SiC 器件相比，GaN每次开关能量的损耗可以更低。所以GaN 相比SiC 更节能。
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