对比6种电流测量方法的优缺点（二）
晶体管
RDS（ON） -漏极到源极的导通电阻
由于晶体管对电路设计来说是标准的控制器件，不需要电阻或消耗能量的器件来提供控制信号，因此晶体管被认为是没有能量损失的过流探测方法。晶体管数据表给出了漏极到源极的导通电阻（RDS（ON）），功率MOSFET的典型电阻一般在毫欧范围内。这个电阻由几部分组成，首先是连到半导体裸晶的引线（图6），这部分电阻影响了很多沟道特性。基于这个资料，流经MOSFET的电流可以用公式 ILoad = VRDS（ON） / RDS（ON）计算得出。
由于界面区域电阻的微小变化和TCR效应，RDS（ON）的每个组成部分都会造成测量误差。通过测量温度，及用由温度引起的电阻预期变化来修正被测电压，可以对TCR效应部分地加以补偿。很多时候，MOSFET的TCR会高达4000ppm/℃，相当于温度上升100℃，电阻的变化达到40%。通常来说，这种测量方法的信号精度大约为10%～20%。从应用对精度的要求来看，对于提供过压保护来说，这个精度范围是可以接受的。
图6 ，N沟道增强型MOSFET的简化模型
比率式 - 电流检测MOSFET
MOSFET由成千上万个能降低导通电阻的并联的晶体管元胞构成。检流MOSFET使用一少部分并联元胞，连到共栅极和漏极，但源极是分开的（图7）。这样就产生了第2个隔离的晶体管，即“检测”晶体管。当晶体管导通时，流经检测晶体管的电流与流经其他元胞的主电流成一定比例。
精度公差的范围取决于具体的晶体管产品，低的达到5%，高的可以达到15%到20%。这种方法通常不适合一般要求测量精度达到1%的电流控制应用，但适合过流和短路保护。
图 7
从上面的总结表可以看出，探测电路中电流的方法有很多种，要根据应用特定的需求来选择合适的方法。每种方法均有其优点和短板，这些因素都要在设计中加以仔细考量。
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