进一步降低器件导通电阻是碳化硅基光导开关实现规模应用的技术关键,器件导通电阻与基底材料的结晶质量、电极的结构设计、材料选取及其制作工艺等诸多要素密切相关。2019年,为检测器件接近真实应用条件的导通电阻,团队开发了精确测量碳化硅单晶基光导开关纳秒量级瞬态光电导的新方法,在此基础上,实现了不改变器件结构、仅改变光源参数连续调控碳化硅单晶基光导开关导通电阻。...
图1 6英寸碳化硅晶体和单晶衬底片 图2 6英寸碳化硅单晶片的拉曼光谱(4H碳化硅单晶) 图3 6英寸碳化硅单晶片的X射线摇摆曲线(半峰宽平均值仅27.2弧秒)...
2实验部分 2.1仪器与试剂 标准参考物质为玻璃标样NIST 610,NIST 612, NIST 614,NIST 616(美国国家标准局(NIST)),分析材料为中国科学院上海硅酸盐研究所研制的掺杂氧化铝和氧化钇的碳化硅圆形器件( 7.5 cm)。碳化硅标样BAMS003(德国联邦材料研究与测试研究所)验证方法的准确性和可靠性。 ...
截止目前,项目团队已掌握激光剥离技术原理与工艺基础,并已基于自主搭建的实验测试平台,结合特殊光学设计、光束整形、多因素耦合剥离等核心技术,成功实现了小尺寸碳化硅单晶片的激光剥离,取得突破性进展。下一步,团队将聚焦激光剥离技术的实用化与工程化,积极推进工艺与设备的协同创新,研发大尺寸化、快速生产化、高良率化、全自动化、低能耗化的激光剥离设备。...
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