SJ 20858-2002
碳化硅单晶材料电学参数测试方法
Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material
SJ 20858-2002相似标准
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这种材料如何实现纳秒级开关？
进一步降低器件导通电阻是碳化硅基光导开关实现规模应用的技术关键，器件导通电阻与基底材料的结晶质量、电极的结构设计、材料选取及其制作工艺等诸多要素密切相关。2019年，为检测器件接近真实应用条件的导通电阻，团队开发了精确测量碳化硅单晶基光导开关纳秒量级瞬态光电导的新方法，在此基础上，实现了不改变器件结构、仅改变光源参数连续调控碳化硅单晶基光导开关导通电阻。...
【招聘】浙江大学科创中心碳化硅单晶和加工项目招聘启事
从事宽禁带半导体材料单晶生长相关的研究工作，包括但不限于a) 碳化硅晶体中缺陷的形成转化及控制的研究；b) 各种杂质原子对碳化硅电学参数及晶体质量的影响；c) 碳化硅晶体材料表面及界面的研究；d) 源粉合成及生长工艺的优化；e) 其他先进的晶体生长方法研究2.指导工艺工程师与技术员相关工作，与平台的宽禁带半导体器件研究人员紧密合作；3.撰写技术报告，...
浙江大学杭州国际科创中心招聘碳化硅单晶和加工项目研发人员
从事宽禁带半导体材料单晶生长相关的研究工作，包括但不限于a) 碳化硅晶体中缺陷的形成转化及控制的研究；b) 各种杂质原子对碳化硅电学参数及晶体质量的影响；c) 碳化硅晶体材料表面及界面的研究；d) 源粉合成及生长工艺的优化；e) 其他先进的晶体生长方法研究2.指导工艺工程师与技术员相关工作，与平台的宽禁带半导体器件研究人员紧密合作；3.撰写技术报告，发表高水平研究论文或专利。...
浙大成功生长出50mm厚6英寸碳化硅单晶
据介绍，碳化硅（SiC）单晶作为宽禁带半导体材料，对高压、高频、高温及高功率等半导体器件的发展至关重要。目前，国内碳化硅单晶的直径已经普遍能达到 6 英寸，但其厚度通常在~20-30 mm 之间，导致一个碳化硅晶锭切片所获得的碳化硅衬底片的数量相当有限。科研人员表示，增加碳化硅单晶厚度主要挑战在于其生长时厚度的增加及源粉的消耗对生长室内部热场的改变。...