SJ 20176-1992
半导体分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范

Semiconductor discrete device--Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440


SJ 20176-1992 发布历史

SJ 20176-1992由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 。

SJ 20176-1992 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合,在国际标准分类中归属于: 31.080 半导体分立器件。

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  •  SJ 20176-1992 半导体分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范

 

 

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标准号
SJ 20176-1992
发布日期
实施日期
废止日期
中国标准分类号
L40
国际标准分类号
31.080
发布单位
CN-SJ




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