SJ/T 10482-1994
半导体中深能级的瞬态电容.测试方法
Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques
SJT10482-1994, SJ10482-1994
SJ/T 10482-1994 中，可能用到以下仪器
- 标准号
- SJ/T 10482-1994
- 别名
- SJT10482-1994
SJ10482-1994 - 发布
- 1994年
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ/T 10482-1994
- 本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。 本标准适用于测量硅、砷化镓等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电容瞬态有关的深能级。
SJ/T 10482-1994相似标准
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