手动:指的是对准的调节方式,是通过手调旋钮改变它的X轴,Y轴和thita角度来完成对准,对准精度可想而知不高了;光刻(photolithography)工艺是将掩膜版(光刻版)上的几何图形转移到晶圆表面的光刻胶上。首先光刻胶处理设备把光刻胶旋涂到晶圆表面,再经过分步重复曝光和显影处理之后,在晶圆上形成需要的图形。通常以一个制程所需要经过掩膜数量来表示这个制程的难易。...
结合无掩膜版图设计,科研人员可以随时尝试修改曝光图形,并可以通过设备特有的虚拟掩膜(Visual Mask aligner)功能实现实时对准观测(如图2所示),极大地提高了科研工作的时效性和便捷性。图2....
1、光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System.2、一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。...
高精度掩膜对准光刻机是一种用于农学、生物学、化学、物理学领域的分析仪器,于2017年11月7日启用。 技术指标 支持4英寸晶圆;曝光波长:350-450nm;曝光灯功率:350W;分辨率:优于0.8mm(光刻胶厚度1微米时);套刻精度:0.5mm;光强均匀度:优于±2%;更换汞灯后及汞灯全寿命周期内无需均匀性校正;曝光模式:可支持硬接触、软接触、接近和真空等模式.。 ...
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