ASTM F1366-92(2002)
ASTM F1366-92(2002)
- 标准号
- ASTM F1366-92(2002)
- 发布
- 1970年
- 发布单位
- /
- 当前最新
- ASTM F1366-92(2002)
- 引用标准
- ASTM E122 ASTM F1188 ASTM F43 ASTM F723
- 适用范围
- 1.1 本测试方法涵盖使用二次离子质谱法（SIMS）测定单晶硅基板主体中的总氧浓度。
1.2 本测试方法可用于硼、锑、砷和磷的掺杂浓度低于 0.2%（1 3 1020 个原子/cm3）的硅（参见测试方法 F 723）。该测试方法特别适用于 p 型硅电阻率在 0.0012 到 1.0 V-cm 之间、n 型硅电阻率在 0.008 到 0.2 V-cm 之间的硅（参见测试方法 F 43）。
1.3 该测试方法可用于氧含量大于 SIMS 仪器氧背景（在浮区硅样品中测量）的硅，但该测试方法具有有用的精度，特别是当氧含量大得多时（约 103到 203) 比在浮区硅中测量的氧背景。
1.4 本测试方法是对红外吸收光谱法的补充，红外吸收光谱法可用于测量电阻率大于 1.0 V-cm（p 型硅）和大于 0.1 V-cm（n 型硅）的硅中的间隙氧（见测试方法 F 1188）。对于 n 型硅，红外吸收测量可扩展到 0.02 至 0.1 V-cm 之间，测量程序略有变化。2 1.5 原则上，可以使用不同的样品表面，但精度估计是根据化学机械数据得出的抛光表面。
1.6 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。