ASTM F43-99
ASTM F43-99

标准号

ASTM F43-99

发布

1970年

发布单位

/

当前最新

ASTM F43-99

 

 

引用标准

ASTM F374 ASTM F397 ASTM F533 ASTM F613 ASTM F76 ASTM F84

适用范围

1.1 半导体材料的电阻率是重要的材料验收要求。在器件制造过程中进行的电阻率测定也广泛用于质量控制目的。
1.2 这些测试方法 2 涵盖了广泛用于常规测量的两种程序。这些程序直接适用于硅和锗。将这些程序应用于其他半导体材料可能需要使用不同的探针材料和探针附件。
1.2.1 方法 A，双探针——该测试方法需要具有可测量横截面的棒材样本，并且横截面尺寸与棒材的长度相比较小。对于尚未制定具体 ASTM 裁判方法的材料，建议使用此测试方法进行材料验收。
1.2.2 方法 B，四探针——该测试方法快速且不需要规则横截面的样本。该测试方法可用于不规则形状的样本，前提是有一个平坦区域可用于接触探针。如本标准所述，本试验方法仅适用于试样厚度和任意探针点到最近边缘的距离均至少为探针间距四倍的试样（注1）。对于厚度大于一倍但小于四倍探头间距的圆形横截面试样的特殊情况，可以采用该测试方法进行测量；所需的近似几何校正的应用将提高精度（见 9.1.3）。
1.2.3 一般来说，在单晶上进行电阻率测量是最可靠的，因为对于这种材料，影响电阻率的杂质的局部变化不太严重。多晶材料中晶界处的局部杂质偏析可能导致大的电阻率变化。这种影响对于任何一种测量测试方法都是常见的，但对于四探针测试方法来说更为严重，因此，不建议将其用于多晶材料。
1.3 以 SI 单位表示的数值应被视为标准。括号中给出的值仅供参考。
1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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