ASTM F1366-92(1997)e1
用次级离子质谱仪测量重掺杂硅基底中氧含量的测试方法
Standard Test Method for Measuring Oxygen Concentration in Heavily Doped Silicon Substrates by Secondary Ion Mass Spectrometry
- 标准号
- ASTM F1366-92(1997)e1
- 发布
- 1992年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F1366-92(2002)
- 当前最新
- ASTM F1366-92(2002)
- 引用标准
- ASTM E122 ASTM F1188 ASTM F43 ASTM F723
- 适用范围
- 1.1 本测试方法涵盖使用二次离子质谱法（SIMS）测定单晶硅基板主体中的总氧浓度。
1.2 本试验方法适用于硼、锑、砷、磷掺杂浓度小于0.2%（1 X 10 20 原子/cm 3 ）的硅。该测试方法特别适用于电阻率在0.0012和1.0Ω-cm之间(对于β型硅)和在0.008和0.2Ω-cm(对于β型硅)之间的硅。
1.3 该测试方法可用于氧含量大于 SIMS 仪器氧背景（在浮区硅样品中测量）的硅，但该测试方法具有有用的精度，特别是当氧含量大得多时（大约 10X）比浮区硅中测量的氧背景高 20 倍）。
1.4 本测试方法是红外吸收光谱法的补充，可用于测量电阻率大于 1.0 Ω-cm（对于 型硅）和大于 0.1 Ω-cm（对于 型硅）的硅中的间隙氧。 （参见测试方法 F1188）。对于β型硅，红外吸收测量可以扩展到0.02至0.1Ω-cm之间，且测量程序有微小的变化。
1.5 原则上，可以使用不同的样品表面，但精度估计是根据化学机械抛光表面的数据得出的。
1.6 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。