ANSI/IEEE Std 641-1987由美国电气电子工程师学会 US-IEEE 发布于 1988-04-19,并于 1988-04-19 实施。
ANSI/IEEE Std 641-1987 金属氮化物氧化物半导体阵列的 IEEE 标准定义和表征的最新版本是哪一版?
最新版本是 ANSI/IEEE Std 641-1987 。
该标准有十个部分: MNOS 设备和内存阵列简介;符号和定义;包含特定概念的更多细节的参考文献; MNOS 数组和函数操作; MNOS 阵列保留; MNOS阵列耐久性属性; MNOS 阵列的可靠性考虑因素;建立 MNOS 阵列独特属性所需的测试方法...
特别是赵丽霞研究小组最近在该方面的研究进展,介绍了氮化物LED调制带宽的影响因素。从材料和器件层面,借助于掺杂、能带调控、等离激元及微阵列等技术,显著提高了氮化物发光器件的调制带宽。...
1、Nature Communications: 计算筛选和高压合成发现地球富足氮化物图1 理论计算的三元锌氮化物的电子性质:(a)能隙和(b)有效质量氮化物半导体因为具有环境友好型,由富足元素组成和良好的电子性质等特点,备受众多科学家的关注。尽管氮化物有着丰富的组成层分空间,但是,目前市售的氮化物仅限于氮化镓及其合金。因此,发现其他组分的氮化物也是发展半导体器件的一种可能方向。...
应用:半导体制造(光刻胶、氧化物/氮化物/SOI、晶圆背面研磨);LCD 液晶显示器(聚酰亚胺、ITO 透明导电膜);光学镀膜(硬涂层、抗反射层);MEMS 微机电系统(光刻胶、硅系膜层)。 R50四探针电阻率测量仪Filmetrics R50 系列提供接触式四点探针 (4PP) 和非接触式涡流 (EC)测量。最快 1 点/秒的速度映射导电膜的电阻率/电导率。...
相关应用:半导体制造(光刻胶、氧化物/氮化物/SOI、晶圆背面研磨);LCD 液晶显示器(聚酰亚胺、ITO 透明导电膜);光学镀膜(硬涂层、抗反射层);MEMS 微机电系统(光刻胶、硅系膜层)。P7 台阶仪P-7可以对台阶高度、粗糙度、翘曲度和应力进行2D和3D测量,其扫描可达150mm而无需图像拼接。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号