实现低工作电压OFET的策略文章亮点近期,苏州大学功能纳米与软物质研究院(FUNSOM)的揭建胜教授和邓巍副教授系统地总结了近年来低工作电压OFETs的研究进展。首先,作者通过分析操作电压与亚阈值摆幅之间的关系,提出降低晶体管亚阈值摆幅是实现器件低工作电压的重要因素。...
在以上工作基础上,赵建文研究小组通过调整印刷工艺,在同一柔性基板的不同区域选择性印刷P-DPPb5T和PFO-TP分离的半导体碳纳米管墨水,构建出回滞小、亚阈值摆幅小(n型172 mV/dec和p型162 mV/dec)的n型和p型碳纳米管薄膜晶体管器件,其开关比和迁移率分别具有高开关达到~105和~15 cm2V-1s-1,并制作出柔性CMOS反相器和3阶环形振荡器。...
近期,该课题组博士研究生汤建、田金朋等发展了一种金属埋栅结合超薄栅介质层沉积工艺,将高介电常数HfO2栅介质层厚度缩减至5 nm,对应等效氧化物厚度(EOT)降低至1 nm。所制备的硬衬底上的场效应晶体管器件操作电压可以等比例缩放至3 V以内,亚阈值摆幅达到75 mV/dec,接近室温极限60 mV/dec。...
【引言】薄膜场效应晶体管作为可穿戴柔性电子器件的重要组成部分,其所有的组成部分以及材料都必须是可拉伸并且具有一定机械强度的。尽管近几年在柔性导体的研究上已经有了较大的进展,但是目前为止,柔性半导体的实现方法主要是集中在材料的应变调节或者在弹性体里混合纳米纤维或纳米线。另外的替代方案是直接使用本身就具有柔性的半导体材料,这样就可以用标准工艺制作柔性电子器件设备。...
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