非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 IEC 62951-2-2019 前三页,或者稍后再访问。
点击下载后,生成下载文件时间比较长,请耐心等待......
实现低工作电压OFET的策略文章亮点近期,苏州大学功能纳米与软物质研究院(FUNSOM)的揭建胜教授和邓巍副教授系统地总结了近年来低工作电压OFETs的研究进展。首先,作者通过分析操作电压与亚阈值摆幅之间的关系,提出降低晶体管亚阈值摆幅是实现器件低工作电压的重要因素。...
在以上工作基础上,赵建文研究小组通过调整印刷工艺,在同一柔性基板的不同区域选择性印刷P-DPPb5T和PFO-TP分离的半导体碳纳米管墨水,构建出回滞小、亚阈值摆幅小(n型172 mV/dec和p型162 mV/dec)的n型和p型碳纳米管薄膜晶体管器件,其开关比和迁移率分别具有高开关达到~105和~15 cm2V-1s-1,并制作出柔性CMOS反相器和3阶环形振荡器。...
该光电晶体管的工作电压设定为器件在暗态下的阈值电压点,此时栅介质铁电层极化方向向下,铁电局域静电场将MoS2半导体沟道电子耗尽,有效抑制器件暗电流,提高器件信噪比。研究发现在光照下器件转移特性曲线阈值电压点发生左移,如图所示。该现象源于光照多层MoS2吸收光子激发电子-空穴对,其中大量空穴被栅极铁电局域静电场捕获,从而产生强的“photogating”效应。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号