二、区熔法原理把掺杂好的多晶硅棒铸在一个模型里，一个籽晶固定到一端然后放进生长炉中，用射频线圈加热籽晶与硅棒的接触区域，局部熔化多晶硅棒。当多晶硅棒底端出现熔滴时，将晶种插入熔区顶部快速拉出一个晶颈，然后放慢拉速，降低温度放肩至较大直径。高频感应线圈配合单晶生长速度缓慢向上移动通过整根多晶硅棒，最终生长为一根单晶硅棒。...
添加材料可以是粉末状的、烧结棒或局部熔化的粉末棒。熔化从添加材料的一端开始，移动加热线圈或添加材料，使熔炼区移动，最后达到重结晶的目的。图10-1-4 给出的是区熔法的一种浮区熔炼法的示意图。在这种技术中，一根烧结棒被二个卡盘垂直的夹在一个保温管中，然后卡盘旋转并下降，穿过一个高频线圈。熔融区仅由表面张力支撑。区熔法可以生产合成刚玉和变石。它很少显示内含物等成因证据。...
用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程2023/8/62024/3/1首次制定珠宝玉石18GB/T 42433-2023珠宝玉石鉴定 红外光谱法2023/5/232023/12/1首次制定19GB/T 42645-2023珠宝玉石鉴定 紫外-可见吸收光谱法2023/5/232023/12/1首次制定照明电器20GB/T 20150-2023红斑基准作用光谱及标准红斑剂量2023/8/62024/...
将多晶硅原料放在炉体的石英坩埚内进行高温熔化（1450℃以上），在低真空度和氩气保护下，通过紫晶插入多晶硅熔体后，在紫晶周围形成过冷态并进行有规律生长，形成一根单晶棒体。单晶生产基本流程是：将多晶硅原料放入单晶炉，加热融化，逐步分别进行缩颈生长、放肩生长、等径生长和尾部生长，然后开炉取料，进行晶体测试，最后进行包装、入库，再发货。...
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