作为一种高技术产品,要求碳化硅晶体内不能有任何宏观缺陷,微观缺陷要非常低,更重要的是要保证不同批次的晶体质量稳定。这些都对碳化硅晶圆的制备形成了挑战。面对这些挑战,需要深入系统地研究,找出缺陷的形成机理,提出解决方案,再应用于生产。陈小龙带领他的团队,经过不懈努力,不畏失败,相继攻克了2英寸、4英寸和6英寸碳化硅晶圆的基础问题和关键技术,并持续开发了4代具有自主知识产权的晶体生长炉。...
演讲提纲:碳化硅晶体是制备高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料,其制成的碳化硅器件能为电力电子产品提供核心保障,在新能源汽车、高铁、特高压输变电、5G网络基础设施等国家战略产业有广阔的应用前景。目前,通过PVT法进行大尺寸碳化硅晶体生长存在许多质量缺陷问题,例如微管、位错、热应力、多晶型等问题,这些缺陷的存在严重影响碳化硅晶体在半导体器件方面的应用。...
演讲提纲:碳化硅晶体是制备高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料,其制成的碳化硅器件能为电力电子产品提供核心保障,在新能源汽车、高铁、特高压输变电、5G网络基础设施等国家战略产业有广阔的应用前景。目前,通过PVT法进行大尺寸碳化硅晶体生长存在许多质量缺陷问题,例如微管、位错、热应力、多晶型等问题,这些缺陷的存在严重影响碳化硅晶体在半导体器件方面的应用。...
宽禁带半导体在材料生长和器件制备过程中无意引入的杂质与缺陷还会影响宽禁带半导体器件的性能及可靠性。团队揭示了氮化镓基高电子迁移率晶体管中原生杂质(如氧杂质、氢杂质)与本征缺陷结合形成的缺陷复合体会在器件使役过程中发生缺陷构型的改变,导致器件的可靠性衰退[Appl.Phys....
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