NF C96-051*NF EN 62373:2006
金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 NF C96-051*NF EN 62373:2006 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

点击下载后,生成下载文件时间比较长,请耐心等待......

 

标准号
NF C96-051*NF EN 62373:2006
发布
2006年
发布单位
法国标准化协会
当前最新
NF C96-051*NF EN 62373:2006
 
 

NF C96-051*NF EN 62373:2006相似标准


推荐

一种运行更快、功耗更少晶体管

有2种类型,即金属-氧化物-半导体场效应晶体管,或称MOSFETs及其变种——浮置栅(FG)MOSFET ——使用特别广泛。        MOSFET作用相当于电信号一个开启/关闭切换器。在这样一种装置中,当施加电荷时,某个电极——其作用相当于一个栅极——会开放另外2个电极(这两个电极被称作源极和漏极)之间连接,——且电信号会在这2者之间传导。...

电源管理IC芯片该如何选择?(二)

这种方式能使电源输出电压在工作条件变化时保持恒定,是利用微处理器数字信号对模拟电路进行控制一种非常有效技术。脉冲宽度调制是利用微处理器数字输出来对模拟电路进行控制一种非常有效技术,广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换许多领域中;4、功率MOSFET——即以金属层(M)栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)场效应晶体管。...

中国科学家晶体管开发取得突破

半浮栅晶体管作为一种新型微电子基础器件,它成功研制将有助我国掌握集成电路核心技术,从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。”   据王鹏飞介绍,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中主流器件,过去几十年工艺进步让MOSFET晶体管尺寸不断缩小,越来越接近其物理极限,基于新结构和新原理晶体管成为当前业界急需。...

硅元素半导体应用介绍

是MOS型场效应晶体管基础,这是一种只利用多数载流子工作单极性器件。由于化合物半导体材料氧化物在性质上都存在着一些尚难克服短处,硅MOSFET是目前唯一能够普遍应用MOS器件。...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号