IEC 62373:2006
金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)
- 标准号
- IEC 62373:2006
- 发布
- 2006年
- 发布单位
- 国际电工委员会
- 当前最新
- IEC 62373:2006
- 被代替标准
- IEC 47/1862/FDIS:2006
- 适用范围
- 本国际标准提供了金属氧化物半导体、场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度（BT）稳定性测试的测试程序。
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