T/IAWBS 015-2021
氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of Ga2O3 single crystal substrate
T/IAWBS 015-2021 中，可能用到以下仪器
- 标准号
- T/IAWBS 015-2021
- 发布
- 2021年
- 发布单位
- 中国团体标准
- 当前最新
- T/IAWBS 015-2021
- 氧化镓（Ga2O3）因其具有4.9 eV超宽带隙，且具有天然的日盲紫外特性以及极高的击穿场强获得了广泛关注。氧化镓拥有日盲、耐高压高温、低损耗高功率等特点，在半导体功率器件及电力电子器件市场前景广泛。氧化镓单晶材料是氧化镓生长最理想的衬底，对提高外延薄膜的质量，降低位错密度，提高器件效率，延长工作寿命等方面具有不可替代的优势。 氧化镓单晶材料的重...
T/IAWBS 015-2021相似标准
推荐
物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
图1 6英寸碳化硅晶体和单晶衬底片 图2 6英寸碳化硅单晶片的拉曼光谱（4H碳化硅单晶） 图3 6英寸碳化硅单晶片的X射线摇摆曲线（半峰宽平均值仅27.2弧秒）...
2018年战略性先进电子材料重点专项将获 1.77 亿国拨经费支持！
考核指标：金刚石半导体单晶衬底和外延材料直径≥2 英寸、X 射线摇摆曲线衍射峰半高宽≤50 arcsec、方均根表面粗糙度≤1nm，掺杂金刚石 p 型空穴浓度≥1×1018 cm-3、n 型电子浓度≥1×1016 cm-3，非掺杂金刚石室温电子和空穴迁移率分别为 3000cm2/V·s 和 2500 cm2/V·s，研制出金刚石原型电子器件和深紫外光电器件；氧化镓单晶材料直径≥3 英寸，位错密度≤104...