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GaN HEMT提供较传统MOSFET更低的门极电荷和导通电阻,从而实现高频条件下的更高电源转换能效。 演示板设计为240 W通用板,它输出20 A的负载电流和12 V输出电压, 功率因数超过98%,满载时总谐波失真(THD)低于17%。电源转换器前端采用功率因数校正(PFC) IC,将AC转换为调节的385 V DC 总线电压。升压转换器中的电感电流工作于CCM。...
与第一代半导体硅基的器件相比,GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性,在功率电子器件领域得到广泛应用。相关研究显示,GaN器件适用于68%的功率器件市场;在功率转换电路中应用GaN器件可消除整流器在进行交直流转换时90%的能量损失,极大提高了能源利用效率;可使笔记本等电源适配器的体积缩小,减小设备体积,提高集成度。 ...
在结构方面,IGBT比MOSFET多一层P+区,通过P层空穴的注入能够降低器件的导通电阻。随着电压的增大,MOSFET的导通电阻也变大,因而其传导损耗比较大,尤其是在高压应用场合中。相较而言,IGBT的导通电阻较小。IGBT多应用于高压领域,MOSFET主要应用在高频领域。从产品来看,IGBT一般应用在高压产品上,电压范围为600-6500V。...
表3:PFC电路测试条件测试中每种功率开关都测试了两种导通电阻的器件,对于氮化镓晶体管,RDS(on)分别为35mohm和45mohm,碳化硅 MOSFET则分别是65mohm和80mohm。测试结果如图14所示。在轻载情况下由于功率开关的开关损耗高于导通损耗,因此氮化镓晶体管的效率明显高于碳化硅晶体管。当负载逐渐加重时,导通损耗在总损耗中的占比高于开关损耗。...
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