19/30404655 DC
BS EN IEC 63229 半导体器件碳化硅衬底氮化镓外延薄膜缺陷的分类

BS EN IEC 63229. Semiconductor devices. The classification of defects in gallium nitride epitaxial film on silicon carbide substrate

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标准号: 19/30404655 DC
发布: 2019年
发布单位: 英国标准学会
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