18/30386543 DC
BS EN 63229 Ed.1.0 半导体器件碳化硅衬底氮化镓外延片缺陷分类

BS EN 63229 Ed.1.0. Semiconductor devices. The classification of defects in gallium nitride epitaxial wafers on silicon carbide substrate

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标准号: 18/30386543 DC
发布: 2018年
发布单位: 英国标准学会
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