ASTM F617M-95
ASTM F617M-95
- 标准号
- ASTM F617M-95
- 发布
- 1970年
- 发布单位
- /
- 替代标准
- ASTM F617-00
- 当前最新
- ASTM F617-00
- 1.1 该测试方法涵盖在极低扫描速率或直流条件下测量 MOSFET（见注 1）线性阈值电压。它是一种适用于 MOSFET 工作线性区的直流电导方法，其中典型漏极电压 VD 约为 0.1V。注 1——MOS 是金属氧化物半导体的缩写； FET 是场效应晶体管的缩写。 1.2 本测试方法适用于增强型和耗尽型 MOSFET，以及绝缘体上硅 (SOI) 和体硅 MO...