ASTM F617M-95
ASTM F617M-95
ASTM F617M-95 发布历史
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ASTM F617M-95的历代版本如下：
- 2017年 ASTM F617-00 测量 MOSFET 线性阈值电压的标准测试方法（2006 年撤回）
- 1970年 ASTM F617M-95 ASTM F617M-95
1.1 该测试方法涵盖在极低扫描速率或直流条件下测量 MOSFET（见注 1）线性阈值电压。它是一种适用于 MOSFET 工作线性区的直流电导方法，其中典型漏极电压 VD 约为 0.1V。注 1——MOS 是金属氧化物半导体的缩写； FET 是场效应晶体管的缩写。
1.2 本测试方法适用于增强型和耗尽型 MOSFET，以及绝缘体上硅 (SOI) 和体硅 MOSFET。该测试方法指定了专门适用于 n 沟道 MOSFET 的正电压和电流约定。负电压和负电流的替代使得该测试方法可以直接适用于p沟道MOSFET。
1.3 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。
