ASTM F28-91(1997)
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
Standard Test Methods for Minority-Carrier Lifetime in Bulk Germanium and Silicon by Measurement of Photoconductivity Decay
- 标准号
- ASTM F28-91(1997)
- 发布
- 1997年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F28-02
- 当前最新
- ASTM F28-02
- 引用标准
- ASTM D1125 ASTM F391 ASTM F42 ASTM F43
- 适用范围
- 1.1 这些测试方法涵盖了适用于外源单晶锗或硅块状样品中载流子复合过程的少数载流子寿命的测量。
1.2 这些测试方法基于在光脉冲产生载流子后测量样品电导率的衰减。描述了以下两种测试方法：
1.2.1 测试方法 A——脉冲光方法，适用于硅和发芽。2 1.2.2 测试方法 B——斩波光方法，特定于电阻率为 $1 V 的硅样本·cm.3 1.3 两种测试方法都是非破坏性的，因为样品可以重复使用来进行测量，但是这些方法需要特殊的棒状测试样品，其尺寸（见表1）和表面状况（研磨）满足通常不适合其他应用。
1.4 最短可测量寿命值由光源的关闭特性决定，而最长值主要由测试样本的尺寸决定（见表2）。注 1——少数载流子寿命也可以从按照测试方法 F 391 进行的表面光电压（SPV）方法测量的扩散长度推算出来。少数载流子寿命是扩散长度的平方除以少数载流子扩散可以根据漂移迁移率计算出的常数。 SPV 测量主要对少数载流子敏感；通过使用表面耗尽区，可以最大限度地减少多数载流子的贡献。因此，通过 SPV 方法测量的寿命通常比通过光电导衰减 (PCD) 方法测量的寿命短，因为光电导可能包含多数载流子和少数载流子的贡献。在没有载流子捕获的情况下，SPV 和 PCD 方法应产生相同的寿命值 (1)4，前提是 SPV 测量使用正确的吸收系数值，并且在计算中适当考虑了表面复合的贡献。 PCD 测量。
1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见第 9 节。