BS IEC 63284:2022
半导体器件 氮化镓晶体管感性负载开关可靠性测试方法
Semiconductor devices. Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride transistors
- 标准号
- BS IEC 63284:2022
- 发布
- 2022年
- 发布单位
- 英国标准学会
- 当前最新
- BS IEC 63284:2022
BS IEC 63284:2022相似标准
推荐
到底该pick谁？两难之GaN/SiC？
表3：PFC电路测试条件测试中每种功率开关都测试了两种导通电阻的器件，对于氮化镓晶体管，RDS(on)分别为35mohm和45mohm，碳化硅 MOSFET则分别是65mohm和80mohm。测试结果如图14所示。在轻载情况下由于功率开关的开关损耗高于导通损耗，因此氮化镓晶体管的效率明显高于碳化硅晶体管。当负载逐渐加重时，导通损耗在总损耗中的占比高于开关损耗。...
俄启动氮化镓晶体管研制工作 | 氮化镓缘何左右逢源，四无敌手？
氮化镓应用在电力电子领域的优势：高转换效率：氮化镓的禁带宽度是硅的3倍，击穿电场是硅的10倍。因此，同样额定电压的氮化镓开关功率器件的导通电阻比硅器件低3个数量级，大大降低了开关的导通损耗。高工作频率：氮化镓开关器件寄生电容小，工作效率可以比硅器件提升至少20倍，大大减小了电路中储能原件如电容、电感的体积，从而成倍地减小设备体积，减少铜等贵重原材料的消耗。...
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（二）
人们把目光瞄向了以氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料，这种新材料可以满足提高开关频率和增加功率密度的要求。 下图比较了SiC，GaN和Si材料FOM的极限。 ▲图二、SiC，GaN和Si材料FOM的极限 从具体材料来看，SIC器件的结构与传统的Si器件结构非常类似。...
浅析适用于射频微波等高频电路的半导体材料及工艺 -1
氮化镓 GaN 在宽禁带半导体材料中，氮化镓(GaN)由于受到缺乏合适的单晶衬底材料、位错密度大等问题的困扰，发展较为缓慢，但进入 90 年代后，随着材料生长和器件工艺水平的不断发展，GaN 半导体材料及器件的发展十分迅速，目前已经成为宽禁带半导体材料中耀眼的新星。 GaN 半导体材料的应用首先是在发光器件领域取得重大突破的。...