标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为:结型场效应管,多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管,双栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方:源极,下方:漏极,左方:栅极,右方:主体。电压导致沟道形成的细节没有画出 掺杂FET(解释如下)的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。...
易用的TPSM82480 DC/DC模块将功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和屏蔽电感集成到一个小尺寸封装中,用于空间和高度受限的应用。例如负载点电信、网络、测试和测量电源。欲了解更多信息、样品和评估模块,请访问。 TI高度集成的TPSM82480在整个温度范围内保持所需的6A输出电流,无需额外的气流。...
这种方式能使电源的输出电压在工作条件变化时保持恒定,是利用微处理器的数字信号对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术。脉冲宽度调制是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术,广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中;4、功率MOSFET——即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。...
是MOS型场效应晶体管的基础,这是一种只利用多数载流子工作的单极性器件。由于化合物半导体材料的氧化物在性质上都存在着一些尚难克服的短处,硅MOSFET是目前唯一能够普遍应用的MOS器件。...
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