DIN 50454-3-1994
半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第3部分:镓磷化物

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of the dislocation etch pits density in monocrystals of III-V-compound semiconductors - Part 3: Gallium phosphide

DIN 50454-3-1994 发布历史

The document specifies a test method for determination of the dislocation etch pits densities 100000 cm in monocrystals of gallium phosphide. The method is independent on the electrical resistivity and the conductivity type of the material.

DIN 50454-3-1994由德国标准化学会 DE-DIN 发布于 1994-10。

DIN 50454-3-1994 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

DIN 50454-3-1994的历代版本如下：

• 1994年10月 DIN 50454-3-1994 半导体工艺材料的检验.Ⅲ-Ⅴ化合物半导体单晶错位腐蚀坑密度的测定.第3部分:镓磷化物

标准号

DIN 50454-3-1994

发布日期

1994年10月

实施日期

废止日期

无

中国标准分类号

H83

国际标准分类号

29.045

发布单位

DE-DIN

适用范围

The document specifies a test method for determination of the dislocation etch pits densities 100000 cm<(hoch)-2> in monocrystals of gallium phosphide. The method is independent on the electrical resistivity and the conductivity type of the material.

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