KS D ISO 14237-2003(2023)
表面下学分析-二次离子质谱分析-硅内均匀添加硼原子浓度的测定方法

Surface geometry analysis - Secondary ion mass spectrometry - Method for measuring the concentration of boron atoms uniformly added in silicon

表面下学分析-二次离子质谱分析-硅内均匀添加硼原子浓度的测定方法 不是强制性中国国家标准，您可以免费下载预览页

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试：免费下载 KS D ISO 14237-2003(2023) 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

标准号: KS D ISO 14237-2003(2023)
发布: 2003年
发布单位: KR-KS
当前最新: KS D ISO 14237-2003(2023)

KS D ISO 14237-2003(2023)相似标准

KS D ISO 14237-2003(2018) 表面下学分析-二次离子质量分析-硅内均匀添加的硼原子浓度的测量方法 ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度 ISO 14237:2000 表面化学分析二次离子质谱用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度 NF X21-070*NF ISO 14237:2010 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度. GB/T 20176-2006 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

推荐

动图演示16种化学材料分析方法

核磁共振及数据输出4.质谱分析法MS分析原理：分子在真空中被电子轰击，形成离子，通过电磁场按不同m/e的变化提供的信息：分子离子及碎片离子的质量数及其相对峰度，提供分子量，元素组成及结构的信息FT-ICR质谱仪工作过程：离子产生离子收集离子传输FT-ICR质谱的分析器是一个具有均匀(超导)磁场的空腔，离子在垂直于磁场的圆形轨道上作回旋运动，回旋频率仅与磁场强度和离子的质荷比有关，因此可以分离不同质荷比的离子...

成分分析的四大神器—XRF、ICP、EDX和WDX

ICP-OES的检测元素如下图：ICP-MS电感耦合等离子体质谱仪以质谱仪作为检测器，通过将样品转化为运动的气态离子并按质荷比（M/Z）大小进行分离并记录其信息来分析。若其所得结果以图谱表达，即所谓的质谱图。ICP-MS的进样部分及等离子体和ICP-AES的是极其相似的。但ICP-MS测量的是离子质谱，提供在3～250amu范围内每一个原子质量单位（amu）的信息。还可进行同位素测定。...

20张动图剖析原子吸收光谱法（下）

云母屏蔽的作用是阻止放电向外扩展，使放电集中在阴极腔内。管前端的光学窗口是石英玻璃或硼硅玻璃。...

为质谱成像分析而生！这种新型离子基板的有啥不一样？

质谱分析是通过对待测样品进行电子束、激光等方法照射，使待测样品的原子、分子发生离子化，通过测定质荷比，对待测样品中包含原子、分子的种类、数量、分子结构等进行精密分析的方法。回顾质谱分析技术的发展历史，不难看到，新的离子化法不断创造着质谱发展的新趋势，让横跨100多年的质谱技术研究，一直充满着活力。具有跨时代意义的离子化方法的诞生，也与质谱分析飞跃性的进步，甚至是业界的繁荣息息相关。...

KS D ISO 14237-2003(2023)表面下学分析-二次离子质谱分析-硅内均匀添加硼原子浓度的测定方法