GB/T 42974-2023
半导体集成电路快闪存储器（FLASH）

Semiconductor integrated circuit flash memory (FLASH)

GBT42974-2023, GB42974-2023

半导体集成电路快闪存储器（FLASH）, 您可以免费下载预览页

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试：免费下载 GB/T 42974-2023 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

标准号: GB/T 42974-2023
别名: GBT42974-2023, GB42974-2023
发布: 2023年
发布单位: 国家质检总局
当前最新: GB/T 42974-2023

GB/T 42974-2023相似标准

GB/T 36477-2018 半导体集成电路快闪存储器测试方法 GB/T 36614-2018 集成电路存储器引出端排列 GJB 8118-2013 军用电子元器件分类与代码 GB/T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范 T/CIE 126-2021 磁随机存储芯片测试方法

推荐

半导体器件有哪些分类

1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)3、快闪式存储器(Flash Memory)4、掩模ROM(mask Memory)5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)6、MRAM(Magnetic Random...

中国工程院外籍院士施敏去世

他于1967年在美国与姜大元博士共同发现浮栅存储（FGM）效应，是广泛应用的快闪存储器之核心发明。在半导体设备，尤其是半导体接触，微波器件和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术的研发中，施敏的贡献具有奠基性和开创性的意义。尤其是他参与研发的非易失性半导体存储器（NVSM），影响深远，随之诞生了包括闪速储存器和电可擦只读储存器（EEPROM）在内的大量储存设备。...

科学家提出一种单质新原理开关器件

然而，现有主流存储器—内存（DRAM）和闪存（Flash），不能兼具高速与高密度特性，难以满足指数型增长的数据存储需要，急需发展下一代海量高速存储技术。三维相变存储器（PCRAM）是目前成熟的新型存储技术，其核心是两端开关单元和存储单元，然而，商用的开关单元组分复杂，通常含有毒性元素，严重制约了三维相变存储器在纳米尺度的微缩以及存储密度的进一步提升。　　...

我国成功研制80纳米“万能存储器”核心器件

与之相对应，静态随机存储器（SRAM）、动态随机存储器（DRAM）、闪存（Flash）或硬盘（HDD）成为实现这三种存储体系的传统存储技术。一台电脑中，静态随机存储器对应的是CPU内的存储器，其特点是速度快，但容量小；动态随机存储器对应的是电脑主板上的内存条；闪存或者硬盘对应的就是电脑里的固态硬盘或者机械硬盘，其特点是速度慢，但容量大。前两者属于易失性存储器，断电数据就会丢失。...

GB/T 42974-2023半导体集成电路 快闪存储器（FLASH）