GB/T 11094-2020
水平法砷化镓单晶及切割片
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
GBT11094-2020, GB11094-2020
- 标准号
- GB/T 11094-2020
- 别名
- GBT11094-2020
GB11094-2020 - 发布
- 2020年
- 发布单位
- 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
- 当前最新
- GB/T 11094-2020
- 引用标准
- GB/T 13388 GB/T 14264 GB/T 14844 GB/T 1555 GB/T 2828.1 GB/T 4326 GB/T 8760
- 被代替标准
- GB/T 11094-2007
- 本标准规定了水平法砷化锋单唱(以下简称砷化锋单唱)及切割片的牌号及分类要求.试验方法、检验规则,标志、`包装、运输,贮存.质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化锋单晶及切割片。
GB/T 11094-2020相似标准
推荐
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半导体材料的应用介绍
悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。...
半导体材料的制备方法
悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。...
解析半导体材料的种类和应用
悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。...