ASTM F1618-02
ASTM F1618-02
- 标准号
- ASTM F1618-02
- 发布
- 1970年
- 发布单位
- /
- 当前最新
- ASTM F1618-02
- 引用标准
- ASTM F1392 ASTM F1393 ASTM F1529 ASTM F374 ASTM F576 ASTM F673 ASTM F81
- 适用范围
- 1.1 本实践涵盖了一组用于测量硅晶片上薄膜特性均匀性的位点分布模式，以及用于分析和报告这些测量结果的简单程序。这种做法的目的是促进需要生成或评估此类信息的所有各方（包括要使用的基本测试仪器的制造商）之间统一性分析方法的通用性。
1.2 本实践旨在用作评估薄膜固有特性（例如厚度或成分）的均匀性以及薄膜功能特性（例如薄层电阻和反射率）的均匀性的模板。所得信息可用于评估薄膜本身或层形成过程的均匀性。这种做法并不直接适用于评估晶圆间或批次间的差异。
1.3 本实践旨在用于任何薄膜或层类型或形成技术，对于这些薄膜或层类型或形成技术，存在适合感兴趣的薄膜参数的基本测量仪器和能力。这种做法旨在用于层生长和沉积技术，例如外延、注入、热和化学气相沉积（CVD）氧化和金属化，以及层修改，例如各种层蚀刻方法。
1.4 这种做法可以与任何能够以足够的精度和空间分辨率测量所需薄膜性质或特性的测量方法、程序或仪器一起使用，以揭示有关薄膜空间不均匀性的所需信息。此实践本身不包含执行任何特定测量的详细信息。
1.4.1 并非所有可能需要用于评估薄膜均匀性的测量类型都有正式的程序标准。测试方法 F 374、F 576、F 1392、F 1393 和 F 1529 给出了可用于评估薄膜特性均匀性的测量程序的详细信息。
1.4.2 这种做法不涉及均匀性数据的采集或分析，在这种情况下，需要对每个指定的空间单元进行一次以上的测量，例如晶圆位置平坦度测量通常所做的那样。
1.5 本实践是为评估平面或毯状薄膜而编写的，但如果图案尺寸、形状和分布不干扰所选测量技术的空间分辨率和指定的测量位置选择，则它也可应用于图案化薄膜。如果发生这些干扰中的任何一种，用户可以根据所需的应用调整该方法的原理，但结果的解释可能会改变。
1.6 本实践没有对统计数据的解释提出建议，这些统计数据是通过分析所获得的数据来确定测试统计给定值的好坏，也没有对有关过程周期或用于测试的设备的决策提出建议。产生被测量的薄膜。
1.7 这种做法的原理可适用于确定体硅晶片特性的均匀性，例如间隙氧含量和电阻率，但根据所需的特性和所选的测量技术，深度相关的变化可能会被误解为横向变化。
1.8 本实践的原则可适用于其他半导体晶片，例如砷化镓，但本实践中可能无法充分解决对这些其他材料的特殊关注。