ASTM F374-02
ASTM F374-02
- 标准号
- ASTM F374-02
- 发布
- 1970年
- 发布单位
- /
- 当前最新
- ASTM F374-02
- 引用标准
- ASTM C28 ASTM C31/C31M ASTM D5127 ASTM E1 ASTM F1529 ASTM F42
- 适用范围
- 1.1 本测试方法涵盖直接测量直径大于 15.9 毫米（0.625 英寸）的硅薄层的平均薄层电阻，这些硅薄层是通过外延、扩散或注入在圆形硅片表面或下方形成的，具有与要测量的薄层相反的导电类型或通过在绝缘层上沉积多晶硅来测量。使用四探针的单一配置在晶圆中心进行测量，即电流通过外部引脚，并用内部引脚测量产生的电位差。
1.2 已知该测试方法适用于厚度至少为 0.2 µm 的薄膜。它可用于测量 10 至 5000 V（含）范围内的方块电阻。
1.2.1 测试方法的原理可以扩展到覆盖更低或更高的方块电阻值；然而，除了 1.2 中给出的范围外，该方法的精度尚未针对薄层电阻范围进行评估。注 1——直径的最小值与通过几何校正因子测量精度的公差有关。最小层厚度与测量期间探头尖端穿透层的危险有关。
1.3 还给出了制备样品、测量其尺寸以及在测量过程中确定样品温度的程序。该方法包含适合圆形几何形状的校正因子缩写表，以便可以方便地进行适当的计算。注2——本测试方法的原理也适用于其他半导体材料，但尚未确定适当的条件和预期的精度。也可以测量其他几何形状，但只能使用使用类似几何条件的比较测量，除非已知适当的几何校正因子。注 3——提到了一些测试条件的放宽，以帮助将该方法的原理应用于非裁判应用，目前尚未开发出完整的非裁判方法。给出的宽松测试条件仅为共识条件，尚未探讨其对测量精度和准确度的影响。
1.4 以 SI 单位表示的数值应被视为标准。括号中给出的值仅供参考。
1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见第 9 节。