ASTM F673-90(1996)e1
用非接触涡流仪测定半导体膜片的电阻率的标准试验方法

Standard Test Methods for Measuring Resistivity of Semiconductor Slices or Sheet Resistance of Semiconductor Films with a Noncontact Eddy-Current Gage

被代替

标准号

ASTM F673-90(1996)e1

发布

1990年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F673-02

当前最新

ASTM F673-02

 

 

引用标准

ASTM E1 ASTM F374 ASTM F533 ASTM F81 ASTM F84

适用范围

1.1 这些测试方法涵盖了硅和某些砷化镓切片的体电阻率的无损测量，以及使用非接触式涡流在有限范围的基板上在切片中心点制造的硅或砷化镓薄膜的薄层电阻的无损测量。电流表。
1.1.1 测量在 18 至 28176C 之间的室温下进行。
1.2 这些测试方法目前仅限于单晶和多晶硅以及外导电砷化镓块状样品或在相对高电阻率基底上制造的硅或砷化镓薄膜，但原则上可以扩展到覆盖其他半导体材料。
1.2.1 块状硅或砷化镓样品可以是单晶或多晶，并且可以是切片（圆形或其他形状）形式的导电类型（p 或 n），没有扩散或其他导电层在其上制造，没有裂纹、空隙或其他结构不连续性，并且 (1) 通过切片中心点测量的边到边尺寸不小于 25 毫米（1.00 英寸）； (2)厚度在0.1至1.0毫米(0.004至0.030英寸)范围内，包括端值，以及(3)电阻率在0.001至200Ωcm范围内，包括端值。并非所有厚度和电阻率的组合都是可测量的。该仪器从根本上限于固定的薄层电阻范围，如 1.2.2 中给出的；另见 9.3。
1.2.2 硅或砷化镓薄膜可以通过扩散、外延或离子注入工艺制造。该层的薄层电阻应在2至3000Ω每平方的标称范围内。其上制造薄膜的基板的最小边到边尺寸应为 25 毫米（通过中心点测量），有效薄层电阻至少为薄膜电阻的 1000 倍。体衬底的有效薄层电阻是其体电阻率(以Ωcm为单位)除以其以cm为单位的厚度。
1.2.3 测量结果不受样品表面光洁度的影响。
1.3 这些测试方法要求使用电阻率标准来校准设备（见 7.1），并使用一组参考样本来鉴定设备（见 7.2）。
1.4 以 SI 单位表示的数值应被视为标准。括号中给出的值仅供参考。
1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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