T/ZJATA 0017-2023
制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备

Chemical vapor deposition (CVD) epitaxy equipment for preparing silicon carbide semiconductor materials


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 T/ZJATA 0017-2023 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

点击下载后,生成下载文件时间比较长,请耐心等待......

 

标准号
T/ZJATA 0017-2023
发布
2023年
发布单位
中国团体标准
当前最新
T/ZJATA 0017-2023
 
 
适用范围
本文件包含了制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备(以下简称“外延设备”)的产品分类、工作条件、技术要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和贮存要求内容,对外延设备的反应室系统、温度控制系统、加热系统、真空系统、加工(碳化硅外延片)质量指标给出了统一技术参数及评价方法。通过对可靠性、加工效率、温度压力流量等关键参数控制,保证了设备的精准性、安全性。

T/ZJATA 0017-2023相似标准


推荐

石墨烯产业链全景图丨制造业分中心

化学沉积化学沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)首次在规模化制备石墨烯的问题方面有了新的突破(参考化学沉积制备高质量石墨烯)。CVD是指反应物质在气态条件下发生化学反应,生成固态物质沉积在加热的固态基体表面,进而制得固体材料的工艺技术。麻省理工学院的Kong等、韩国成均馆大学的Hong等和普渡大学的Chen等在利用CVD制备石墨烯。...

碳化硅晶片加工过程及难点

01碳化硅晶片生产工艺流程碳化硅晶片生产流程碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料,采用物理气相传输(PVT)生长碳化硅单晶,再在衬底上使用化学沉积CVD)等生成外延片,最后制成相关器件。1、原料合成:将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合,在2,000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。再经过破碎、清洗等工序,制得满足晶体生长要求的高纯度碳化硅微粉原料。...

石墨烯怎么制作

四、碳化硅外延SiC外延是通过在超高真空的高温环境下,使硅原子升华脱离材料,剩下的C原子通过自组形式重构,从而得到基于SiC衬底的石墨烯。这种方法可以获得高质量的石墨烯,但是这种方法对设备要求较高。五、化学沉积化学沉积即(CVD)是使用含碳有机气体为原料进行沉积制得石墨烯薄膜的方法。这是目前生产石墨烯薄膜最有效的方法。...

拉曼光谱应用(三)在材料科学研究中的应用

拉曼光谱在材料科学中是物质结构研究的有力工具,在组成界面、晶界等课题中可以做很多工作。包括:(1)薄膜结构材料拉曼研究:拉曼光谱已成CVD化学沉积制备薄膜的检测和鉴定手段。拉曼可以研究单、多、微和非晶硅结构以及硼化非晶硅、氢化非晶硅、金刚石、类金刚石等层状薄膜的结构。(2)超晶格材料研究:可通过测量超晶格中的应变层的拉曼频移计算出应变层的应力,根据拉曼峰的对称性,知道晶格的完整性。...


T/ZJATA 0017-2023 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号