尽管商用4H–SiC单晶圆片的结晶完整性最近几年显着改进,但这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。 经研究证实,晶圆衬底的表面处理时间越长,则表面缺陷率也会跟着增加。表面缺陷严重影响SiC元件品质与矽元件相比,碳化硅的能带隙更宽,本征载流子浓度更低,且在更高的温度条件下仍能保持半导体特性,因此,采用碳化硅材料制成的元件,能在比矽元件更高的工作温度运作。...
随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高,使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6英寸Si基功率器件生长线上进行,这将进一步降低SiC材料和器件成本,推进 SiC 器件和模块的普及。 二、Sic产业链:欧美占据关键位置 SiC 生产过程分为 SiC 单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤,对应的是产业链衬底、外延、器件与模组三大环节。 ...
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