GB/T 24581-2022
硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method
GBT24581-2022, GB24581-2022
GB/T 24581-2022 发布历史
本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的方法。 本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝(Al)、锑(Sb)、砷(As)、硼(B)、镓(Ga)、铟(In)和磷(P)含量的测定,各元素的测定范围(以原子数计)为1.0×1010cm-3 ~4.1×1014cm-3 。
GB/T 24581-2022由国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 发布于 2022-03-09，并于 2022-10-01 00:00:00.0 实施。
GB/T 24581-2022 在中国标准分类中归属于: H17 半金属及半导体材料分析方法，在国际标准分类中归属于: 77.040 金属材料试验。
GB/T 24581-2022 发布之时，引用了标准
- GB/T 14264 半导体材料术语
- GB/T 29057 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
- GB/T 8322 分子吸收光谱法.术语
GB/T 24581-2022的历代版本如下：
- 2022年 GB/T 24581-2022 硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
- 2009年 GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
- 标准号
- GB/T 24581-2022
- 别名
- GBT24581-2022
GB24581-2022 - 发布
- 2022年
- 发布单位
- 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
- 当前最新
- GB/T 24581-2022
- 引用标准
- GB/T 14264 GB/T 29057 GB/T 8322
- 被代替标准
- GB/T 24581-2009
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