T/ZSA 38-2020
SiC晶片的残余应力检测方法
Experimental method for residual stress in SiC wafers
- 标准号
- T/ZSA 38-2020
- 发布
- 2020年
- 发布单位
- 中国团体标准
- 当前最新
- T/ZSA 38-2020
- 适用范围
- 本文件规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。 本文件适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30%以上的SiC晶片。
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