T/CASAS 004.1-2018
4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语
The Terminology for Defects in both 4H-SiC Substrates and Epilayers
- 标准号
- T/CASAS 004.1-2018
- 发布
- 2018年
- 发布单位
- 中国团体标准
- 当前最新
- T/CASAS 004.1-2018
- 适用范围
- 由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准，因此，为了规范4H-SiC缺陷术语和定义，特制定本标准。
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