C62.35-2010

Standard Test Methods for Avalanche Junction Semiconductor Surge-Protective Device Components


说明:

  • 此图仅显示与当前标准最近的5级引用;
  • 鼠标放置在图上可以看到标题编号;
  • 此图可以通过鼠标滚轮放大或者缩小;
  • 表示标准的节点,可以拖动;
  • 绿色表示标准:C62.35-2010 , 绿色、红色表示本平台存在此标准,您可以下载或者购买,灰色表示平台不存在此标准;
  • 箭头终点方向的标准引用了起点方向的标准。

 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 C62.35-2010 前三页,或者稍后再访问。

点击下载后,生成下载文件时间比较长,请耐心等待......

 



标准号
C62.35-2010
发布日期
2010年03月25日
实施日期
2012年08月01日
废止日期
中国标准分类号
/
国际标准分类号
/
发布单位
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.
引用标准
26
适用范围
This standard applies to two terminal or multiple terminal silicon avalanche breakdown diodes (ABD)@ which are one type of surge protective device component (SPDC). In this document@ these devices will be called ABDs. ABDs limit (clamp) transient voltages and divert transient currents. This standard contains terms@ symbols and definitions@ and provides test methods for verifying ratings and measuring device characteristics. Service conditions and failure mode are also provided. This standard may also apply to other silicon surge protective device components with similar V-I characteristics.




Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号