激光剥离几乎可完全避免常规的多线切割技术导致的切割损耗,仅需将剥离的晶片进行研磨抛光,因此可将每片碳化硅衬底的平均加工损耗大幅降低至100μm以下,从而在等量原料的情况下提升碳化硅衬底产量。此外,激光剥离技术还可应用于器件晶圆的减薄过程,实现被剥离晶片的二次利用。 ...
图1 6英寸碳化硅晶体和单晶衬底片 图2 6英寸碳化硅单晶片的拉曼光谱(4H碳化硅单晶) 图3 6英寸碳化硅单晶片的X射线摇摆曲线(半峰宽平均值仅27.2弧秒)...
大家好,本期我们为大家带来的是「6英寸碳化硅晶片的抛光」,敬请观看!▼/ 前情提要 /本期沈阳科晶小课堂为您讲解用6英寸碳化硅晶片的抛光实验!使用设备:UNIPOL-1200S自动压力研磨抛光机▼/ 点击观看视频 /▼/ 小结 / 我公司提供全套碳化硅加工设备及方案,欢迎各位客户莅临或邮寄样品到科晶实验室体验测试!欢迎后台区留言!...
悬浮区熔法的熔体不与容器接触,用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶,而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。...
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