GB/T 30656-2023
碳化硅单晶抛光片

Silicon carbide single crystal polished wafer

GBT30656-2023, GB30656-2023


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 GB/T 30656-2023 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

 

标准号
GB/T 30656-2023
别名
GBT30656-2023, GB30656-2023
发布
2023年
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 30656-2023
 
 
被代替标准
GB/T 30656-2014
《GB/T 30656-2023 碳化硅单晶抛光片》是一种用于半导体制造和光学领域的关键材料。该标准规定了碳化硅单晶抛光片的技术要求、试验方法、检验规则和包装、运输要求等内容。 碳化硅单晶抛光片具有优异的物理和化学性质,适用于制造高性能半导体器件和光学元件。其主要特点包括高硬度、低摩擦系数、优异的化学稳定性和热稳定性、高热导率等。碳化硅单晶抛光片具有出色的抛光效果,能够快速而均匀地去除材料表面的缺陷、污染物和氧化层,从而提高器件和元件的表面光洁度和平整度。 该标准对碳化硅单晶抛光片的技术要求进行了详细规定,包括尺寸、外观质量、物理性能、化学性能等方面。通过严格的试验方法和检验规则,确保了碳化硅单晶抛光片的质量稳定可靠。标准还对包装和运输要求进行了规定,以确保产品在运输过程中不受损坏。 《GB/T 30656-2023 碳化硅单晶抛光片》的颁布对于推动半导体制造和光学领域的发展具有重要意义。该标准的实施将提高碳化硅单晶抛光片的质量水平,促进相关行业的技术进步和产品创新。同时,该标准的应用还有助于提高产品的一致性和互换性,降低生产成本,提高市场竞争力。 总之,《GB/T 30656-2023 碳化硅单晶抛光片》是一项重要的标准,它规定了碳化硅单晶抛光片的技术要求和质量控制标准,为半导体制造和光学领域的发展提供了可靠的指导。该标准的推行将进一步促进相关行业的技术创新和产品升级,为市场提供更高质量的碳化硅单晶抛光片产品。

GB/T 30656-2023相似标准


推荐

浙大成功生长出50mm厚6英寸碳化硅单晶

针对挑战,浙江大学通过设计碳化硅单晶生长设备的新型热场、发展碳化硅源粉的新技术、开发碳化硅单晶生长的新工艺,显著提升了碳化硅单晶的生长速率,成功生长出了厚度达到 50 mm 的 6 英寸碳化硅单晶。而且碳化硅单晶的晶体质量达到了业界水平。...

中科院上海硅酸盐所研发出4英寸碳化硅单晶

记者今天从中国科学院上海硅酸盐研究所获悉,该所科技人员立足自主研发,在掌握直径2英寸、3英寸碳化硅单晶生长技术之后,2月4日,成功生长出直径4英寸4H晶型碳化硅单晶,这标志着我国碳化硅单晶生长技术达到了国际一流水平。  据介绍,碳化硅单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大,饱和漂移速度高,临界击穿场强大,热导率高等诸多特点,主要用于制作高亮度LED、二极管、MOSFET等器件。...

突破传统!这种材料如何实现纳秒级开关?

这是该刊物首次刊登关于碳化硅单晶基光导开关的研究论文。采用透明电极的碳化硅单晶基光导开关正极(左图)、负极(中图)结构示意图和采用改变输入激光的峰值功率密度与光照面积连续调控器件导通电阻的结果(右图)  以上研究得到国家自然科学基金、国家重点研发计划和中科院等有关项目的支持。...

解析半导体材料的种类和应用

直拉法应用最广,80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的,其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法,用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法,用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触,用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。...


谁引用了GB/T 30656-2023 更多引用





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号